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公开(公告)号：CN110098563A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910504380.5
申请日：2019-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于双腔结构的纠缠光源，由上至下包括：上DBR层，用于提高反射率；上腔体，用于提供上谐振腔模；中DBR层，用于提高反射率；下腔体，用于提供下谐振腔模；以及下DBR层，用于提高反射率；所述基于双腔结构的纠缠光源，通过改变材料的结构，可以直接构造出双腔模结构，包括上中下三层分布式布拉格反射镜(DBR)，其用于提高反射率，不需要太复杂的工艺，收集纠缠光子对的效率提高了很多。
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