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公开(公告)号：CN110224045B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910411821.7
申请日：2019-07-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种柔性InGaAs探测器的制备方法：在InP衬底上覆盖单层石墨烯，然后再生长InGaAs探测器结构材料和制备InGaAs探测器结构，最后将InGaAs探测器结构与InP衬底剥离。本发明可以方便地进行高质量InP和InGaAs外延层的生长；在器件制备工艺过程中保留了衬底，为器件工艺操作带来很大的方便；利用单层石墨烯的特性可以方便地采用热释放胶带与衬底剥离，从而实现柔性InGaAs探测器的制备。本发明还可以推广到其他柔性III‑V族半导体器件的制备中，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN109473496B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811274488.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法：在与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层与二元InP电荷层之间，采用总厚度在十纳米量级的交替递变的InP和InGaAs(P)多层材料作为过渡层，从而避免采用不易生长的传统多层不同组分的InGaAsP过渡层材料。此过渡层适合采用分子束外延方法生长，且可充分发挥分子束外延可对厚度精确控制的特点，降低了生长含两个V族元素材料在组分控制上的难度，并可方便地进行参数调节和控制。本发明还可以推广到采用分子束外延生长的其他包含两个不同V族元素的异质结过渡层材料。
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公开(公告)号：CN110927981A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911125208.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性单光子面光源的产生装置，由以下部件依次连接构成：波长λ重复频率F的脉冲激光器，经光纤连接衰减系数β的光学衰减器；衰减器经光纤连接准直透镜组；透镜组与发散角θ的微透镜对准；面积S的光功率探头与微透镜距离D；改变β，使光功率计的功率P＝FhcS/(10λ)后，固定β；改变F，获得任意激光重频下，距离D的光轴垂直面上±2θ角范围内单位面积上每脉冲0.1光子的高均匀性单光子面光源。本发明的优点在于产生的单光子面光源具有固定发散角，均匀性高，光子速率可灵活调制，覆盖大面积和长工作距离，适用于量子信息、单光子激光成像等领域。
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公开(公告)号：CN109473496A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811274488.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法：在与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层与二元InP电荷层之间，采用总厚度在十纳米量级的交替递变的InP和InGaAs(P)多层材料作为过渡层，从而避免采用不易生长的传统多层不同组分的InGaAsP过渡层材料。此过渡层适合采用分子束外延方法生长，且可充分发挥分子束外延可对厚度精确控制的特点，降低了生长含两个V族元素材料在组分控制上的难度，并可方便地进行参数调节和控制。本发明还可以推广到采用分子束外延生长的其他包含两个不同V族元素的异质结过渡层材料。
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公开(公告)号：CN119521820A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202310956778.9
申请日：2023-07-31
Applicant: 无锡中科德芯感知科技有限公司 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F71/00 , H10F77/124 , H10F77/30
Abstract: 本公开提供了一种平面型探测器及其光敏芯片和光敏芯片的制备方法，制备方法包括在衬底上生成外延材料；对外延材料进行刻蚀处理，以形成光敏芯片；其中，外延材料包括依次叠设于衬底的缓冲层、吸收层、隧穿层和场钝化层；隧穿层用于供吸收层内的空穴基于隧穿效应隧穿，并阻挡吸收层内的电子通过；场钝化层用于为经由隧穿层隧穿后的空穴提供低能量位置。本公开无需通过现有的离子注入或者杂质扩散的方法即可获得性能优异的平面型探测器的光敏芯片，有利于安全生产，隧穿层与场钝化层二者共同形成了钝化结构，为光敏芯片提供了良好的界面钝化，提高了光敏芯片的稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118712049A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310257732.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 无锡中科德芯感知科技有限公司 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/223 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于锌扩散的装置及锌扩散方法、系统、电子设备及介质，其中，用于锌扩散的装置的腔体底部用于放置红外焦平面探测器；加热组件、扩散源气盒和导气容器设于腔体内部；加热组件设于腔体内部；扩散源气盒设于腔体上方；导气容器设于扩散源气盒内；导气容器连通用于输送含锌金属化合物的外部管道；导气容器底部设有多个通孔；扩散源气盒底部设有通气孔；加热组件用于提高腔体内温度。本发明通过导气容器底部的通孔，将含锌金属化合物均匀地扩散至扩散源气盒中，含锌金属化合物再均匀地从扩散源气盒底部的通气孔，扩散至红外焦平面探测器上，扩散工艺简单，且能实现均匀的扩散效果。
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公开(公告)号：CN116960194B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310429281.1
申请日：2023-04-20
Applicant: 无锡中科德芯感知科技有限公司 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种InGaAs探测器及其制造方法，该InGaAs探测器包括衬底、生长于衬底上的外延结构和与外延结构连接的金属电极，外延结构具有刻蚀的台阶部，台阶部的上表面和外延结构的侧面覆盖介质钝化层，金属电极贯穿介质钝化层；外延结构包括依次生长在衬底上的N型缓冲层、本征吸收层和钝化结构层，N型缓冲层覆盖于衬底上，本征吸收层覆盖N型缓冲层的上表面的部分区域；钝化结构层中的i型隧穿化学钝化层覆盖于吸收层上，P型场钝化层位于i型隧穿化学钝化层的上表面的部分区域。本发明不需要通过杂质扩散的方法即可获得平面型InGaAs探测器结构，且依次外延生长的i型隧穿化学钝化层和P型场钝化层构成的钝化结构层，增强了界面钝化效果。
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公开(公告)号：CN116840848A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210298166.0
申请日：2022-03-25
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01S17/10 , G01S7/4863
Abstract: 本申请实施例提供一种平衡探测器阵列。该平衡探测器阵列包括第一探测器阵列和第二探测器阵列，采用镜像方式设置于同一衬底。第一探测器阵列和第二探测器阵列均包括M个探测器像元且一一对应，第一探测器阵列和第二探测器阵列的M个探测器像元构成M个平衡像元对，每个平衡像元对用于输出一个差分信号，M为大于1的整数。每个平衡像元对包括第一探测器像元和第二探测器像元，第一探测器像元和第二探测器像元的光敏区域的几何中心分别位于第一直线和第二直线，第二直线与第一直线平行，第一探测器像元和第二探测器像元的光敏区域的几何中心的连线与第一直线垂直。该平衡探测器阵列能够提升光电探测器的光敏区域的占空比，以及激光雷达的出点率。
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公开(公告)号：CN116413729A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111672730.2
申请日：2021-12-31
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01S17/08 , G01S17/58 , G01S7/4914 , G01S7/4913 , G01S7/4911 , G01S7/48 , H01L27/146
Abstract: 本申请实施例公开了一种平衡光电探测器、测距装置和测速装置，用于提升占空比，实现小型化。本申请实施例提供的平衡探测器包括：第一掺杂区、第二掺杂区和透光层；第一掺杂区和第二掺杂区位于透光层的第一面上；第一掺杂区用于在第一面上接收第一光信号，并在与第一面相对的第二面上，输出第一光信号对应的第一电信号；其中，第一光信号为本振光和信号光经光混频器输出的一路光；第二掺杂区用于在第一面上接收第二光信号，并在与第一面相对的第三面上，输出第二光信号对应的第二电信号；其中，第二光信号为本振光和信号光经光混频器输出的另一路光。
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公开(公告)号：CN110896114B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201911093674.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法，所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InxAl1‑xAs缓冲层、i型InyGa1‑yAs吸收层、i型InzAl1‑zAs插入层和p型InzAl1‑zAs帽层。其中，所述的InzAl1‑zAs插入层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度为2x1014cm‑3～1x1015cm‑3。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的优势在于，InGaAs探测材料结构中增加的i型插入层能够有效实现对PN结结位置的控制，从而实现器件暗电流的降低。
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