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公开(公告)号：CN110137299A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910414286.0
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/18 , G01J5/00 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，硅介质结构层，锗单晶半球透镜，以及器件管座组成。在传统热敏薄膜型探测器的基础上，通过在锰钴镍氧敏感元表面，引入特定图案的硅介质结构层，达到增强敏感元在红外波段的宽带吸收的目的，从而使探测器的响应率和探测率进一步提升。本发明设计的器件制备工艺简单，可实现红外波段的宽带增强探测，对于探测器的性能改善和提升具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209929328U
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201920708747.0
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/18 , G01J5/00 , G01J5/20
Abstract: 本专利公开了一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，硅介质结构层，锗单晶半球透镜，以及器件管座组成。在传统热敏薄膜型探测器的基础上，通过在锰钴镍氧敏感元表面，引入特定图案的硅介质结构层，达到增强敏感元在红外波段的宽带吸收的目的，从而使探测器的响应率和探测率进一步提升。本专利设计的器件制备工艺简单，可实现红外波段的宽带增强探测，对于探测器的性能改善和提升具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209927302U
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201920708737.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本专利公开了一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器，所述探测器由氧化铝衬底，金属反射层，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，锗单晶半球透镜，以及器件管座组成。通过精确控制刻蚀敏感元的结构参数，形成特定图案的锰钴镍氧介质超表面结构层，可以实现器件对特定波长的光达到完美吸收的效果；同时反射非特定波长的光，提升器件窄带探测的能力。本专利结构中，由于未引入等离子激元型的金属人工微结构，避免了能量在金属结构中的大量损失，从而保证了器件中敏感元部分吸收达到80％以上，光谱曲线的品质因子(Q值)可以达到15左右，对改善非制冷红外窄带探测器的响应率和目标识别精确度方面都有着十分重要的意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210071148U
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201920711972.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本专利公开了一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，补偿元，以及器件管座组成。本专利制备的刻蚀增强型非制冷红外薄膜探测器，在传统锰钴镍氧薄膜型探测器的基础上，通过设计和刻蚀敏感元部分，形成特定周期、占空比和深度的锰钴镍氧介质超表面结构层，达到了增强耦合光的能力，促进了锰钴镍氧薄膜材料在红外波段的宽带吸收，进而增强了器件对红外辐射的宽波段探测能力，在响应率和探测率等方面可以有进一步的提高。本专利设计的器件制备工艺简单，与现有的硅集成工艺相兼容，可以在焦平面探测器中大规模应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209929316U
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201920708751.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/18 , G01J5/20
Abstract: 本专利公开了一种硅介质超表面的非制冷红外窄带探测器，所述探测器由氧化铝衬底，金属下电极，锰钴镍氧敏感元，硅介质超表面结构层，以及器件管座组成。通过在锰钴镍氧敏感元上，引入硅介质超表面结构层，作为耦合特定波长的光的引导层，形成导模共振条件，实现整个结构对特定波长光的完美吸收；同时反射非特定波长的光，达到器件窄带探测的效果。本专利结构中，由于硅介质结构层在红外波段具有极弱的吸收系数，吸收主要发生在敏感元部分，可以使得敏感元吸收达到85％左右，光谱曲线的品质因子(Q值)可以高达20，对于提升非制冷红外窄带探测器的探测率和目标识别准确率有着十分重要的意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210862918U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921494851.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种基于相变材料的感温型太赫兹探测器，所述探测器由氧化铝衬底，锑化铟敏感元，二氧化钒光栅结构层，半波天线和器件管座组成。本专利制备的感温型太赫兹探测器，在传统的金属‑半导体‑金属结构基础上，通过引入二氧化钒光栅结构层，利用二氧化钒在环境温度为68℃的相变转换特性，引起光栅结构层的电导率剧烈的变化，进而使整个器件的局域等离子体激元引起的场增强效应不同，达到一种太赫兹波探测的调制目的；在实现了0.01‑3THz的宽波段快速、高灵敏响应的同时，增加了对环境温度感知的新功能。这对于优化器件结构设计和完善器件功能都有着十分重要的意义，在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。
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