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公开(公告)号：CN110617882B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910850391.9
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的感温型太赫兹探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锑化铟敏感元，二氧化钒光栅结构层，半波天线和器件管座组成。本发明制备的感温型太赫兹探测器，在传统的金属‑半导体‑金属结构基础上，通过引入二氧化钒光栅结构层，利用二氧化钒在环境温度为68℃的相变转换特性，引起光栅结构层的电导率剧烈的变化，进而使整个器件的局域等离子体激元引起的场增强效应不同，达到一种太赫兹波探测的调制目的；在实现了0.01‑3THz的宽波段快速、高灵敏响应的同时，增加了对环境温度感知的新功能。这对于优化器件结构设计和完善器件功能都有着十分重要的意义，在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。
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公开(公告)号：CN110617882A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910850391.9
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的感温型太赫兹探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锑化铟敏感元，二氧化钒光栅结构层，半波天线和器件管座组成。本发明制备的感温型太赫兹探测器，在传统的金属-半导体-金属结构基础上，通过引入二氧化钒光栅结构层，利用二氧化钒在环境温度为68℃的相变转换特性，引起光栅结构层的电导率剧烈的变化，进而使整个器件的局域等离子体激元引起的场增强效应不同，达到一种太赫兹波探测的调制目的；在实现了0.01-3THz的宽波段快速、高灵敏响应的同时，增加了对环境温度感知的新功能。这对于优化器件结构设计和完善器件功能都有着十分重要的意义，在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。
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公开(公告)号：CN210862918U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921494851.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种基于相变材料的感温型太赫兹探测器，所述探测器由氧化铝衬底，锑化铟敏感元，二氧化钒光栅结构层，半波天线和器件管座组成。本专利制备的感温型太赫兹探测器，在传统的金属‑半导体‑金属结构基础上，通过引入二氧化钒光栅结构层，利用二氧化钒在环境温度为68℃的相变转换特性，引起光栅结构层的电导率剧烈的变化，进而使整个器件的局域等离子体激元引起的场增强效应不同，达到一种太赫兹波探测的调制目的；在实现了0.01‑3THz的宽波段快速、高灵敏响应的同时，增加了对环境温度感知的新功能。这对于优化器件结构设计和完善器件功能都有着十分重要的意义，在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。
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