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公开(公告)号：CN102117699A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010590616.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值、损耗小、结构与工艺简单、成本低廉、尺寸小等优点。
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公开(公告)号：CN111244188B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010060088.1
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。
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公开(公告)号：CN111244188A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010060088.1
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。
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公开(公告)号：CN106787104A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611156688.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端，包括三维定位装置、远程传输装置、MCU、能量储存装置、能量捕获装置及充电控制电路；MCU设置为控制三维定位装置采集待追踪资产的三维位置信息，并控制远程传输装置将三维位置信息上传至一远程上位机；能量储存装置与MCU连接，设置为给MCU供电；能量捕获装置与能量储存装置连接，设置采集光能并将采集到的光能转换成电能以给能量储存装置充电；充电控制电路与能量储存装置和充电装置连接，设置为采集外部环境光强和能量储存装置电量，并根据外部环境光强和能量储存装置电量控制能量捕获装置进行充电操作。本发明的资产追踪终端体积小、功耗低、寿命长，能够实现对资产的远程实时追踪。
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公开(公告)号：CN105244291A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510552671.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种用于三维集成的大厚度光敏BCB的涂覆方法，包括：在晶圆上，先旋涂一层光敏BCB，然后放在真空环境中静置；对第一层BCB进行曝光前热烘、曝光和固化；在第一层上旋涂第二层光敏BCB，并进行光刻、显影和固化；干法刻蚀去除部分BCB，刻蚀厚度为第一层BCB的厚度，即可。本发明有效解决了传统二次涂覆中两层BCB的通孔会出现无法顺畅衔接的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105204287A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510612817.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F1/68
Abstract: 本发明涉及一种用于光刻掩膜板制作过程的夹具，包括主体部分，所述主体部分呈矩形框架结构；所述主体部分的四个角的内侧设有支撑柱体，所述主体部分的周边设有多个槽口；所述主体部分的四个角上还设有用于安装提杆的螺纹孔。本发明可以使得掩膜板制作过程中的显影、刻蚀和去胶和掩膜板清洗更为方便。
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公开(公告)号：CN102820512B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210316834.4
申请日：2012-08-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及可用于实现太赫兹特异介质的三种电磁谐振单元结构及方法，其特征在于所述的单元结构为SR1、SR2和SR3中的任一种；其中，SR1由一个“工”字形封闭的金属环组成；SR2是在两个嵌套的闭合金属环之间加两个“T”形金属条组成；SR3将两个开口金属环用金属条相连，内环与相邻单元的外环相连。在砷化镓衬底上，按一定的尺寸分别周期性的排列本发明涉及的三种以金属金为材料的微米级电磁谐振单元，金属金和衬底之间连接采用肖特基接触，使得物质的性质由周期性排列的电磁谐振单元决定，当太赫兹电磁波垂直入射时，介质表现出负的介电常数或磁导率，从而得到三种可用于太赫兹波段的特异介质。从而成功的实现太赫兹特异介质，结构简单，制作成本低，具有宽频带的优点，可有效地应用于太赫兹功能器件的设计。
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公开(公告)号：CN102386239B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010271246.4
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法，其结构包括：半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层；P型高掺杂层上沉积低介电常数材料保护层，二极管的阳极和阴极处于保护层之上的同一平面，通过开窗口分别与P型和N型高掺杂层形成欧姆接触；阳极的接触电极和引出电极之间连接区域的下方刻蚀有沟槽可实现平面的空气桥结构。利用本发明，在不影响器件关断电容的情况下能有效降低导通电阻，同时，平面结构有效降低了工艺难度，提高了工艺成品率，更有利于实现开关二极管的互联集成以及开关单片电路的制备。
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公开(公告)号：CN102800986A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210272158.5
申请日：2012-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设在所述衬底上。本发明结构简单，制作成本低，具有强谐振、宽频带、双频点的优点，可以有效地应用于各种要求宽带设计的太赫兹功能器件。
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公开(公告)号：CN101866018B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010186328.9
申请日：2010-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于毫米波全息成像安检系统的射频收发前端，包括毫米波压控振荡器、毫米波低噪声放大器和毫米波正交混频器，毫米波压控振荡器与毫米波正交混频器相连；毫米波低噪声放大器与毫米波正交混频器相连；毫米波压控振荡器用于产生向目标发射的毫米波射频信号和直接馈入毫米波正交混频器的本振信号；毫米波低噪声放大器用于将接收到的包含目标散射波幅度和相位信息的射频信号进行低噪声放大；毫米波正交混频器用于将毫米波压控振荡器直接馈入的毫米波本振信号和经毫米波低噪声放大器的射频信号进行正交混频。本发明的输出信号在进行必要的前置放大和数字采样处理后，通过毫米波全息算法运算，可恢复出目标的毫米波全息图像。
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