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公开(公告)号：CN101364043A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044607.X
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米结构套刻的模极设计和实现方法，属于微纳电子领域。其特征在于将不同层结构定义在同一块模板上，通过特定的改变模板与基底相对位置，重复使用来实现多层纳米结构的套刻。这种方法不需要配置精密对准系统就可实现纳米级套刻。传统的套刻技术采用精密对准和多块模板，面对纳米级线宽加工需求，定位对准系统和光刻模板的成本越来越高。即使对于纳米压印这些新型的微纳加工技术，由于技术本身尚处研发，设备本身匮乏定位能力，对准和模板同样是研发的瓶颈问题。本发明提出的方法，不仅可以节约多层纳米结构加工研发成本，提高研发效率，而且可以有效解决纳米级结构套刻难题，具有研发实用价值。
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公开(公告)号：CN104318955A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410631642.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据，其中，所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括：虚拟单元，读电路工作电压产生电路，稳压缓冲电路，读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压，有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象；同时，无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护，能有效地加快数据读出过程，特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。
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公开(公告)号：CN101587905B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810037819.X
申请日：2008-05-22
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C11/56 , G11C16/02
Abstract: 本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory---CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。
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公开(公告)号：CN101770164A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044948.6
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米结构压印硬模板，属于纳米制造领域。其特征在于：利用多孔阳极氧化铝(AAO)膜技术制备硬质材料基底多孔模板，通过增加硬质基底和表面修饰处理后直接作压印(自上而下)模板。多孔阳极氧化铝膜可以自组织生长成六度对称的有序多孔结构，孔洞陡直且分布均匀，用它作为模板通过热蒸发、溅射和沉积以及电化学组装等定向组装(自下而上)的加工方法已经制备出各种具有光学、电学和磁学等性能的纳米结构和器件。本发明通过增加硬质材料基底和表面修饰处理将AAO模板技术移植到自上而下的表面微结构加工领域，这种纳米级高密度结构压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。同时，由于增加了硬质基底，克服了现有AAO模板脆且易碎的缺点，更利于软模板复制。
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公开(公告)号：CN101587905A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810037819.X
申请日：2008-05-22
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C11/56 , G11C16/02
Abstract: 本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory－CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101581878A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810037349.7
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明是关于一种软压印模板的制造方法。其特征在于：通过多孔阳极氧化铝(AAO)模板复制出软模板。多孔阳极氧化铝孔径一般为10～500nm，孔洞较直分布均匀，作为母模板可以复制出高分辨率和高复型精度的软模板，减少了模板的制作成本和周期。本发明的显著特点是制作模板成本低廉，周期短，工艺简单，复制出来的软模板可以重复使用，能够实现大面积压印。
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公开(公告)号：CN102955355A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110290555.0
申请日：2011-09-26
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明是一种利用溶剂渗透的方法制备微纳结构的纳米压印方法。其特征在于：首先利用聚合物溶液和硅橡胶(PDMS)软模板进行聚合物溶液的微纳结构预成型，然后利用聚合物溶液中的溶剂向PDMS模板的渗透使聚合物析出的方法实现聚合物微纳结构的成型。这种制备微纳结构的方法适合多种聚合物以及聚合物/纳米粒子共混物的微纳结构加工，对成型材料限制少，适用范围广；成型过程中无需紫外光或者加热辅助固化，成型设备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN104437470A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410620786.7
申请日：2014-11-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种同质蛋黄-壳结构Bi2MoO6微球及其制备方法，所述同质蛋黄-壳结构Bi2MoO6微球是以Bi2MoO6为蛋黄-壳结构的微球，所述蛋黄由Bi2MoO6纳米颗粒自组装而形成，所述壳由Bi2MoO6纳米片自组装而形成，所述蛋黄与壳之间具有空腔。本发明的同质蛋黄-壳结构Bi2MoO6微球具有优异的可见光催化活性，无污染，无毒，成本低。本发明的制备工艺简单，温度较低，条件温和，操作方便，成本低廉，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN110048058A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910284657.8
申请日：2019-04-10
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: H01M2/14 , H01M2/16 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种复合型锂离子电池隔膜及其制备方法。复合型锂离子电池隔膜由基材层和设置在基材层表面的无机/有机复合多孔膜层构成，基材层为聚烯烃多孔膜；无机/有机复合多孔膜层为含有无机纳米粒子和水性粘结剂的复合层。复合型锂离子电池隔膜的制备方法为：将无机水性分散液、有机水性分散液以及表面活性剂加入去离子水中搅拌混合均匀，制得涂料；将基材层浸润到配置好的涂料中，进行提拉涂布后，室温干燥后真空烘干燥，制得复合型锂离子电池隔膜。本发明针对隔膜安全能不稳定的问题，在其表面固化形成有机无机均匀杂化的多孔薄膜，实现隔膜的热稳定性、锂离子电池的安全性和耐化学腐蚀性的提高。
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公开(公告)号：CN104437470B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410620786.7
申请日：2014-11-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种同质蛋黄‑壳结构Bi2MoO6微球及其制备方法，所述同质蛋黄‑壳结构Bi2MoO6微球是以Bi2MoO6为蛋黄‑壳结构的微球，所述蛋黄由Bi2MoO6纳米颗粒自组装而形成，所述壳由Bi2MoO6纳米片自组装而形成，所述蛋黄与壳之间具有空腔。本发明的同质蛋黄‑壳结构Bi2MoO6微球具有优异的可见光催化活性，无污染，无毒，成本低。本发明的制备工艺简单，温度较低，条件温和，操作方便，成本低廉，适合工业化生产。
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