-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118436360A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410485894.1
申请日：2024-04-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种脑电极装置，包括电路板、第一胶带层、柔性电极结构、第二胶带层和芯片；柔性电极结构包括连接的植入结构和后端结构；所述后端结构包括焊盘容置孔和多个电路板暴露通孔，第一胶带层和第二胶带层的材质为聚酰亚胺，第二胶带层的电极焊料容置孔与柔性电极结构的焊盘容置孔对齐以形成第一聚合物通孔，所述第一聚合物通孔内填充有焊料以形成电极焊盘；芯片的一部分引脚与电极焊盘焊接，芯片的另一部分引脚穿过所述电路板暴露通孔与所述电路板焊盘焊接固定。本发明的脑电极装置及其制备方法在牢固焊接固定的前提下实现脑电极装置的小尺寸、轻量、高集成。
-
-
公开(公告)号：CN114376580A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210002988.X
申请日：2022-01-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种柔性神经电极及其制备方法、脑机接口，该方法包括：获取硅衬底；于硅衬底上形成牺牲层；在第一旋涂工艺条件下，于牺牲层上形成第一聚酰亚胺层；于第一聚酰亚胺层上形成探测电极阵列；在第二旋涂工艺条件下，于探测电极阵列上形成第二聚酰亚胺层；第二聚酰亚胺层的厚度大于各探测电极的厚度；于第二聚酰亚胺层上形成硬掩膜层；对硬掩膜层和第二聚酰亚胺层进行刻蚀，以露出各探测电极的部分表面；去除硬掩膜层，并释放牺牲层，使得硅衬底脱落，得到柔性神经电极。本申请可以降低柔性神经电极的整体厚度，进而可以提高器件柔性水平，减少神经电极植入大脑后对大脑的损伤，并进一步提升神经电极长期在体植入的可行性、可靠性。
-
公开(公告)号：CN119391527A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411976658.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微流控器件，包括由下至上依次排列的基板、微流道层、多孔微电极阵列和细胞培养层，微流道层固定在基板上，多孔微电极阵列的至少部分固定于微流道层和细胞培养层之间，细胞培养层与微流道层固定；细胞培养层上设有第一通孔和第二通孔，微流道层靠近细胞培养层的一面上设有第一盲孔、第二盲孔和微流通道，微流通道的两端分别与第一盲孔和第二盲孔连通，第一通孔与第一盲孔对齐，多孔微电极阵列的位于微流道层和细胞培养层之间的部分上设有多个第三通孔，第一通孔和第一盲孔通过各第三通孔中的至少部分相互连通，第二通孔与第二盲孔对齐并相互连通。
-
公开(公告)号：CN119390008A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000703.2
申请日：2025-01-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00 , C12N5/079 , G01N33/487 , G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种多孔微电极阵列的制备方法，包括：S100：在衬底上沉积牺牲层，衬底包括第一部分和第二部分，牺牲层沉积在第一部分上；S200：在衬底的第二部分和牺牲层上沉积第一封装层，其中位于牺牲层上的第一封装层具有多个第一通孔；S300：在第一封装层上沉积第一金属层；S400：在位于衬底的第二部分的上方的第一封装层上沉积第二金属层，其中第二金属层覆盖第一金属层的部分；S500：沉积第二封装层，其中第二封装层具有多个第二通孔，第二封装层的各第二通孔与第一封装层的各第一通孔一一对齐；S600：腐蚀掉牺牲层，并将衬底的第一部分切除。本发明的多孔微电极阵列的制备方法，相较于现有的制备方法，工艺更简单。
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.049 seconds)
