公开(公告)号：CN107623046B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201710740745.5

申请日：2017-08-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王宪 ,  韩安军 ,  韦小庆 ,  黄勇亮 ,  刘正新

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述铜铟镓硒吸收层进行刻蚀，以对所述铜铟镓硒吸收层进行表面改性；清洗刻蚀后的铜铟镓硒吸收层，以得到处理后的铜铟镓硒吸收层。通过上述方案，本发明的方法可以修饰铜铟镓硒吸收层的表界面，优化铜铟镓硒吸收层的表面特性，促进浅埋PN结的纵深扩展；减少载流子在缓冲层/吸收层界面处的复合，可提高铜铟镓硒薄膜太阳电池开路电压、提高填充因子以及提高电池转换效率绝对值。

公开(公告)号：CN111312859A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010140012.X

申请日：2020-03-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张丽平 ,  李振飞 ,  刘正新 ,  孟凡英 ,  石建华 ,  韩安军 ,  杜俊霖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/074

Abstract: 本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。本发明还提供上述的制备方法得到的重掺杂型硅基薄膜。本发明又提供上述的重掺杂型硅基薄膜在异质结晶体硅太阳电池上的应用。根据本发明的重掺杂型硅基薄膜的制备方法，能够提高硅基薄膜的掺杂效率，对进一步获得高效率异质结晶体硅太阳电池具有突出的意义。

公开(公告)号：CN113178501A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110366557.7

申请日：2021-04-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 韩安军 ,  刘正新 ,  孟凡英 ,  王光远 ,  赵文婕

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种柔性光伏组件及其制备方法，从下至上依次是正面封装薄膜、封装胶膜、太阳能电池串、封装胶膜、背板衬底，所述太阳能电池串由太阳能电池通过互联条互联而得；其中，所述太阳能电池正反两面设置有细栅线电极、与细栅线交叉的主栅线电极，以及与主栅线电极相连接的分布于太阳能电池边缘两侧的互联点；所述互联条贴合于所述互联点表面。本发明可显著改善传统焊带焊接带来应力集中、隐裂增加以及电池片柔性降低问题，提升柔性组件的弯曲率，增加柔性组件的抗机械振动性和使用可靠性，具有良好的市场应用前景。

公开(公告)号：CN112271144A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011089582.7

申请日：2020-10-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孟凡英 ,  刘正新 ,  赵文婕 ,  韩安军

IPC: H01L21/66 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池耐湿热可靠性的测试方法，包括在太阳能电池表面喷涂钠盐溶液，然后进行耐湿热环境可靠性测试，根据可靠性测试前后的电学参数变化量，确定电池耐湿热可靠性能力。本发明可以快速有效的检验太阳电池耐环境气候的可靠性和稳定性，节约组件湿热可靠性试验时间和组件制作成本，提高耐湿热测试的效率和时效性。

公开(公告)号：CN111403554A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010226291.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 石建华 ,  孟凡英 ,  张丽平 ,  韩安军 ,  杜俊霖 ,  刘正新

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 本发明涉及一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1，分别提供金属化复合膜和太阳电池芯片，其中，在铜丝上包覆低温合金以得到导电细丝，然后通过复合膜支撑导电细丝来得到金属化复合膜，其中，太阳电池芯片具有导电层；S2，将金属化复合膜铺设在太阳电池芯片的导电层上，通过热压使金属化复合膜和导电层形成欧姆接触通路，得到太阳电池。本发明还提供由上述制备方法得到的太阳电池。根据本发明的制备方法，完全省去了传统丝网金属化技术所消耗的银浆成本，在保持量产效率和成品率的前提下可减少传统金属化电极遮挡损伤和金属化烧结损耗，使太阳电池的光电转化效率最大化。

公开(公告)号：CN107623046A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710740745.5

申请日：2017-08-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王宪 ,  韩安军 ,  韦小庆 ,  黄勇亮 ,  刘正新

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述铜铟镓硒吸收层进行刻蚀，以对所述铜铟镓硒吸收层进行表面改性；清洗刻蚀后的铜铟镓硒吸收层，以得到处理后的铜铟镓硒吸收层。通过上述方案，本发明的方法可以修饰铜铟镓硒吸收层的表界面，优化铜铟镓硒吸收层的表面特性，促进浅埋PN结的纵深扩展；减少载流子在缓冲层/吸收层界面处的复合，可提高铜铟镓硒薄膜太阳电池开路电压、提高填充因子以及提高电池转换效率绝对值。