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公开(公告)号：CN103824787B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210465809.2
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种基于粘接剂的晶圆键合方法。首先，由依次放置着键合陪片、涂敷有粘结剂的第一晶圆片、夹具隔片、第二晶圆片的键合夹具将各晶圆片送入键合设备腔体；随后控制所述键合设备腔体的温度及压力，使第一晶圆片与第二晶圆片键合。本发明使用键合陪片，可有效改善异质晶圆材料键合因热膨胀系数差异所引起的翘曲问题，并能有效提高器件的可靠性，降低后续工艺难度。
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公开(公告)号：CN103855173A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210517170.8
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，该封装方法包括：在一传感晶片的有源面形成第一钝化层；在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极；将传感晶片的有源面与一透明基板键合；在传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二钝化层上刻出划槽标记；在划槽标记处制作凹槽；在传感晶片背面制作第三钝化层；在凹槽底制作贯通金属煽出电极的通孔；制作金属互连线使其通过通孔将金属煽出电极引出至第三钝化层的背面；制作完全覆盖金属互连线的第四钝化层；在第四钝化层刻蚀开口露出金属互连线的一端；在第四钝化层上制作UBM层和焊锡凸点。本发明可靠性强、成本低、具有较小的信号延迟和较高的互连密度。
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公开(公告)号：CN102569032B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210012849.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
Abstract: 本发明涉及一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法，其特征在于在基板或衬底上溅射种子层，光刻形成掩膜，电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层，去除光刻胶及种子层；旋涂光敏介质层，曝光显影形成金属互连通孔及第二电感金属沟槽图形，第二电感金属沟槽图形与第一电感线图形相同，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属形成金属互连通孔及第二电感线金属层；形成第二层金属互连线及第三电感金属层，并形成最外层金属通孔；从而形成多层金属化薄膜叠加的电感元件。本发明与圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出的电感比传统圆片级集成电感金属层更厚即寄生电阻更小，从而提高了电感的品质因数。
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公开(公告)号：CN102544040A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014615.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104519661A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310465129.5
申请日：2013-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电容电感复合结构的制造方法，至少包括以下步骤：S1：提供一基板，采用溅射法或蒸发法在所述基板上形成一金属层；S2：以所述金属层的一部分作为电容下极板制作电容，以所述金属层的另一部分作为电感的电镀种子层制作电感。本发明的电容电感复合结构中，电容下极板与电感的电镀种子层采用同一层金属，具有结构简单、可靠性高并有利于小型化的优点。本发明利用电镀金属的种子层作为电容下极板制作电容，同时形成电感，无需制造额外的金属层作为电容下极板，工艺步骤简单，采用了更少的光刻次数，有效降低了制造成本，在集成无源器件领域有很大潜力。
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公开(公告)号：CN103824787A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210465809.2
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/83 , H01L2224/83005
Abstract: 本发明提供一种基于粘接剂的晶圆键合方法。首先，由依次放置着键合陪片、涂敷有粘结剂的第一晶圆片、夹具隔片、第二晶圆片的键合夹具将各晶圆片送入键合设备腔体；随后控制所述键合设备腔体的温度及压力，使第一晶圆片与第二晶圆片键合。本发明使用键合陪片，可有效改善异质晶圆材料键合因热膨胀系数差异所引起的翘曲问题，并能有效提高器件的可靠性，降低后续工艺难度。
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公开(公告)号：CN103241707A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026566.2
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构，该方法包括以下步骤：提供一预设若干焊盘(22)的基于砷化镓衬底材料的图像传感器晶圆(20)，与一透明载片(10)利用干膜(12)进行键合；直接在砷化镓图像传感器晶圆(20)的背面与焊盘对应的位置制作垂直互连通孔(21)至接触该焊盘；在步骤2)获得的结构上除焊盘以外的部分制作形成绝缘薄膜层(28)；通孔金属化工艺；依次制作RDL层(25)、钝化层(26)和电镀凸点(32)；最后划片形成独立的封装器件。该封装方法采用干膜键合技术和激光通孔制作技术，避免了对砷化镓图像传感器晶片的减薄，降低了工艺难度并提高成品率，为图像传感器提供可靠的保护。
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公开(公告)号：CN102779807A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210012852.3
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/552 , H01F27/36 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种与RDL工艺兼容的电感元件及制造方法，其特征在于在硅衬底上用薄膜金属淀积工艺同时形成第一层金属互连传输线及屏蔽层；旋涂光敏介质层，曝光显影，形成金属互连通孔，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属填满金属互连通孔；然后形成第二层金属互连传输线及电感线；形成最外层金属通孔；从而在不增加原有工艺步骤的情况下制作出有金属屏蔽层的电感。与主流的圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出带有屏蔽层的电感，对硅衬底有效的阻断衬底涡流，提高了电感的品质因子并降低电感的串联电阻，并且减小了涡旋电流对芯片的电磁干扰。
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公开(公告)号：CN102509718A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110419761.7
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种GaAs CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③接着通过干法刻蚀技术制作垂直互连通孔，使芯片有源面焊盘暴露出来；④再溅射种子层金属并电镀，制作孔金属化和RDL层，从而实现芯片有源面到芯片背面的电路互连；⑤然后制作钝化层、UBM层和凸点；⑥最后划片形成独立封装芯片。背面梯形槽结构只在有焊盘区域进行减薄，有效地降低了成本，而且垂直通孔互连能提高封装互连密度，缩短信号传输路径。
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