公开(公告)号：CN117855294A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311664855.X

申请日：2023-12-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张丽平 ,  周一诺 ,  刘文柱 ,  李振飞 ,  杜俊霖 ,  刘正新

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，本征硅基薄膜钝化层覆盖在晶体硅衬底上，p型掺杂型硅基薄膜钝化层沉积在本征硅基薄膜钝化层上，本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间具有隧道传输层，该隧道传输层为疏松多孔的、带隙介于1.8～2.6eV之间、能带的价带顶上方富含多个能级通道的p型氢化微晶硅基隧穿层以增强空穴载流子收集。本发明还涉及硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的硅异质结太阳电池及其制备方法，通过隧道传输层，在本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间搭建一个能级通道使能级中的价带顶部有连续能级供空穴载流子在电池纵向方向实现有效隧穿，获得高填充因子和高转换效率的硅异质结太阳电池。

公开(公告)号：CN114508695A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210162083.9

申请日：2022-02-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 蒲朝辉 ,  吴铸 ,  杜俊霖 ,  许小鸥

IPC: F17C11/00 ,  F17C13/04 ,  F17C13/00

Abstract: 本发明涉及一种内热式抗膨胀金属储氢装置，抗膨胀结构均匀安装在压力容器罐体的内壁以为储氢合金吸氢膨胀预留空间，换热结构安装在抗膨胀结构的内部以对吸放氢循环进行热交换，储氢合金分布在换热结构中以形成合金粉床体，导气管为中空的两端封闭管且自由分布在合金粉床体的内部以提高氢气传输速度和纯度，过滤结构独立于导气管且安装在压力容器罐体的进出口处。根据本发明的内热式抗膨胀金属储氢装置，高效安全，能够解决储氢装置中存在的传热、传质效率低下以及罐体膨胀安全性问题。

公开(公告)号：CN111403554A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010226291.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 石建华 ,  孟凡英 ,  张丽平 ,  韩安军 ,  杜俊霖 ,  刘正新

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 本发明涉及一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1，分别提供金属化复合膜和太阳电池芯片，其中，在铜丝上包覆低温合金以得到导电细丝，然后通过复合膜支撑导电细丝来得到金属化复合膜，其中，太阳电池芯片具有导电层；S2，将金属化复合膜铺设在太阳电池芯片的导电层上，通过热压使金属化复合膜和导电层形成欧姆接触通路，得到太阳电池。本发明还提供由上述制备方法得到的太阳电池。根据本发明的制备方法，完全省去了传统丝网金属化技术所消耗的银浆成本，在保持量产效率和成品率的前提下可减少传统金属化电极遮挡损伤和金属化烧结损耗，使太阳电池的光电转化效率最大化。

公开(公告)号：CN116230787A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310136324.7

申请日：2023-02-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杜俊霖 ,  刘正新 ,  刘文柱 ,  石建华 ,  韩安军

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种边缘抛光的单晶制绒硅片、太阳电池及制备方法。该单晶制绒硅片正面和背面的边缘区域以及硅片的侧面区域不具有金字塔绒面结构，除所述边缘区域和侧面区域以外的其它区域具有金字塔绒面结构。该单晶制绒硅片制备方法包括：腐蚀抛光；形成掩膜；制绒；将掩膜去除。该硅片或电池片的边缘没有金字塔状的绒面结构，是比较光滑的结构，当硅片或电池片受到弯折、震动、热冲击时，能有效避免产生应力集中，因此提高了硅片或电池片的机械强度，降低生产过程中硅片发生碎裂的几率，提高电池片、电池组件产品的可靠性。

公开(公告)号：CN111312859A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010140012.X

申请日：2020-03-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张丽平 ,  李振飞 ,  刘正新 ,  孟凡英 ,  石建华 ,  韩安军 ,  杜俊霖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/074

Abstract: 本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。本发明还提供上述的制备方法得到的重掺杂型硅基薄膜。本发明又提供上述的重掺杂型硅基薄膜在异质结晶体硅太阳电池上的应用。根据本发明的重掺杂型硅基薄膜的制备方法，能够提高硅基薄膜的掺杂效率，对进一步获得高效率异质结晶体硅太阳电池具有突出的意义。

公开(公告)号：CN108493440A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810090837.8

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 任晓英 ,  吴铸 ,  杜俊霖 ,  蒲朝辉 ,  许小鸥 ,  王润博 ,  顾嘉川

IPC: H01M4/485 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供一种高温锂电池的钼酸锂正极材料，其化学结构式为Li2MoO4。并提供其高温固相制备方法，包括按摩尔比称取锂盐和钼源，球磨2～5h后将其取出研磨并过筛；在空气气氛下200～800℃烧结10～16h，降至室温。还提供其水溶液合成制备方法，区别在于锂盐和钼源倒入水中搅拌并烘干。此外，本发明提供高温锂电池的正极材料的制备方法，包括对上述高温锂电池的钼酸锂正极材料研磨并过筛；称取该材料、低熔点硝酸盐和活性炭材料，球磨2～5h；将其在空气气氛下180℃烧结3h，取出后研磨并过筛。本发明提供的高温锂电池的钼酸锂正极材料采用钼酸锂，更耐高温且在高温下与硝酸共融盐相容性好，且电容量高，放电性能好。

公开(公告)号：CN103401001A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310360766.6

申请日：2013-08-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 牛永强 ,  杜俊霖 ,  吴铸 ,  杨传铮

IPC: H01M6/36 ,  C09K5/12

Abstract: 本发明涉及一种高能电池，包括负极、熔盐电解质和正极，其特征在于所述的熔盐电解质为LiNO3-KNO3-Ca(NO3)2硝酸共熔盐或LiNO3-KNO3-KNO2-Ca(NO3)2四元硝酸共熔盐；所述的高能电池为高温锂电池。其中，LiNO3-KNO3-Ca(NO3)2硝酸共熔盐组成的质量百分数为LiNO30～65%，KNO330～95%，Ca(NO3)20～60%；且LiNO3和Ca(NO3)2两组分不同时为0；四元硝酸共熔盐的质量百分数为LiNO310～70%，KNO31～55%，KNO210～80%，Ca(NO3)21～27.3%。本发明探讨了组成电池的性能，结果表明所述的高温锂电池可在150-350℃温度范围内使用，产生较高开路电压及较高的初始放电电压平台。