公开(公告)号：CN108168580B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201711395423.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 豆传国 ,  杨恒 ,  孙珂 ,  戈肖鸿 ,  吴燕红 ,  李昕欣

IPC: G01D3/08 ,  G01D5/241

Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。

公开(公告)号：CN106935526B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201511028246.0

申请日：2015-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  豆传国 ,  戈肖鸿 ,  吴燕红 ,  李昕欣

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。

公开(公告)号：CN108168580A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711395423.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 豆传国 ,  杨恒 ,  孙珂 ,  戈肖鸿 ,  吴燕红 ,  李昕欣

IPC: G01D3/08 ,  G01D5/241

Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。

公开(公告)号：CN106935526A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201511028246.0

申请日：2015-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  豆传国 ,  戈肖鸿 ,  吴燕红 ,  李昕欣

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。

公开(公告)号：CN100552453C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710038123.4

申请日：2007-03-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 车录锋 ,  徐玮鹤 ,  熊斌 ,  戈肖鸿 ,  王跃林

IPC: G01P15/125

Abstract: 本发明涉及一种对称直梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法。其特在于所述的加速度传感器由一个中心对称的质量块、外部支撑框架、质量块与外部支撑框架相连接的八根上下对称直弹性梁结构以及上、下盖板组成。每根直弹性梁的一端连接在与弹性梁平行的质量块顶端或底端侧面，另一端连接到与弹性梁垂直的外部支撑框架内侧面。本发明提供的对称直梁结构电容式加速度传感器可以在显著减小横向效应的同时提高灵敏度，采用微电子机械系统工艺制作，是一种高性能的微机械加速度传感器。

公开(公告)号：CN101038298A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710038123.4

申请日：2007-03-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 车录锋 ,  徐玮鹤 ,  熊斌 ,  戈肖鸿 ,  王跃林

IPC: G01P15/125

Abstract: 本发明涉及一种对称直梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法。其特在于所述的加速度传感器由一个中心对称的质量块、外部支撑框架、质量块与外部支撑框架相连接的八根上下对称直弹性梁结构以及上、下盖板组成。每根直弹性梁的一端连接在与弹性梁平行的质量块顶端或底端侧面，另一端连接到与弹性梁垂直的外部支撑框架内侧面。本发明提供的对称直梁结构电容式加速度传感器可以在显著减小横向效应的同时提高灵敏度，采用微电子机械系统工艺制作，是一种高性能的微机械加速度传感器。