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公开(公告)号：CN103794583A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210425918.1
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种增强焊球与UBM粘附性的方法，其主要步骤为：首先对焊盘表面进行处理并溅射粘附层和种子层，之后电镀金属铜，电镀完成之后在铜UBM上制作凹坑，可通过腐蚀或激光打孔的方法来实现；最后制作焊球并回流。通过以上步骤，可使焊球与UBM之间的结合面积更大，粘附能力更强，提高了封装可靠性。本发明不需要添加制作额外的粘附材料，只需要在UBM上制作多个凹坑，增加焊球与UBM的接触面积，以提高其粘附性能。
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公开(公告)号：CN103681719A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310697584.8
申请日：2013-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法，所述方法至少包括步骤：提供透明封装基板，在所述透明封装基板表面键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连结构；采用凸点技术将所述可见光器件倒装焊接在所述腔体底部的互连结构上；在所述硅晶圆背面的互连结构上形成外凸点；最后进行划片形成独立的封装器件。本发明的封装方法采用两次倒装焊的技术，实现可见光器件芯片到晶圆的圆片级封装，避免了不同的可见光器件由于衬底材料、制造工艺、使用限制等因素带来的技术困难。
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公开(公告)号：CN103199026A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210006294.X
申请日：2012-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法，其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点，将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其工艺步骤为：在已刻蚀出TSV的TSV晶圆的背面和裸支撑晶圆的一面上分别先后溅射一层TiW和Au层；将TSV晶圆的Au层面与裸支撑晶圆的Au层面相对并且完全重合，然后将其中一片晶圆以圆心为中心旋转90度，另一片不动，然后在保证圆心重合后升温加压进行Au-Au键合。然后用铜导电胶带分别贴住露出的四个切边部位的种子层，引到键合晶圆的正面，电镀引线夹具导电胶带接触实现TSV电镀填充，并将导电胶带撕掉去除。
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公开(公告)号：CN103187312A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110448249.5
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种圆片级封装结构中的重布线层的制备方法及形成的结构。其中，根据基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法，先将预制的介质薄膜黏贴在已涂覆粘接剂的待封装的圆片表面；随后再基于所述待封装的圆片表面的电气连接点的数量在所述介质薄膜表面制作重布线导线层，形成相应数量的相互隔离的导电区域，且使每一个导电区域电气连接一个电气连接点；随后在每一个导电区域表面形成一个导电凸点，由此形成圆片级封装结构。本发明的优点包括：不需要高温固化过程，可以有效降低圆片翘曲与内应力，可以很容易实现多层重布线结构，同时该结构还允许内嵌其他无源器件。
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公开(公告)号：CN102569032A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210012849.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
Abstract: 本发明涉及一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法，其特征在于在基板或衬底上溅射种子层，光刻形成掩膜，电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层，去除光刻胶及种子层；旋涂光敏介质层，曝光显影形成金属互连通孔及第二电感金属沟槽图形，第二电感金属沟槽图形与第一电感线图形相同，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属形成金属互连通孔及第二电感线金属层；形成第二层金属互连线及第三电感金属层，并形成最外层金属通孔；从而形成多层金属化薄膜叠加的电感元件。本发明与圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出的电感比传统圆片级集成电感金属层更厚即寄生电阻更小，从而提高了电感的品质因数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102507669A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110369062.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中多个独立的空腔；或e)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中保留多个独立的聚酰亚胺块。制作是首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层，然后电镀出电容电极板，再涂覆聚酰亚胺胶作为电容的介电材料，并在聚酰亚胺中填充光纤、玻璃粉末或金属颗粒材料，最后腐蚀聚酰亚胺中的填充材料获得多孔聚酰亚胺薄膜；最后，采用光刻的方法，形成空腔，增加多孔薄膜与空气的接触面积，提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN102431963A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110419770.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、钝化层和凸点；⑦最后划片形成独立的封装器件。本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。
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公开(公告)号：CN101847592A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010143745.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/0361 , H01L2224/11 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法，其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻，然后制作种子层，在需要沉积铟的地方，涂覆厚正光刻胶，光刻出“模子”，形成薄胶/种子层/厚胶的结构，以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱，借助于超声将种子层剥离，最后在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流，获得铟焊球阵列。本发明提供一种全新的去除种子层工艺，成功制备出质量高的小间距、小焊球、大阵列的铟焊球。
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公开(公告)号：CN101834159A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010156047.9
申请日：2010-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物BCB低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作TSV封装(Through？Silicon？Via，穿硅通孔)的方法，所述的TSV封装的制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面DRIE刻蚀出TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆正面经对准后在键合机中进行BCB低温键合；将TSV晶圆减薄后制作TSV后续工艺。本发明提供的TSV封装制作工艺具有较高的可靠性，采用的设备和工艺均为半导体加工的常规工艺和设备。
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公开(公告)号：CN119890183A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510022215.1
申请日：2025-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种传输线结构、制备方法及其应用，该传输线结构包括衬底、绝缘介质层及导电布线层，其中，衬底中设有多个贯穿衬底的通孔，且通孔的内壁倾斜设置，绝缘介质层覆盖衬底的第一表面、第二表面及通孔的内壁，导电布线层位于绝缘介质层表面，导电布线层包括中心导线，中心导线作为信号线。本发明通过在通孔内壁上直接形成中心导线(即孔内传输线)，实现了与第一表面和第二表面上的中心导线(平面传输线)结构设计的一致性，从而保证了阻抗匹配，避免了信号在孔内传输线与平面传输线之间传递时因阻抗不匹配而导致的信号损耗，从而显著提升信号传输的完整性和效率，有助于实现更高频信号的稳定传输。
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