在(100)单硅片上制作宽频带高量程加速度传感器的方法

    公开(公告)号:CN104267215A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201410562370.4

    申请日:2014-10-21

    Abstract: 本发明提供一种在(100)单硅片上制作宽频带高量程加速度传感器的方法,所制作的宽频带高量程加速度传感器由四个纵截面为五边形规则的作为压阻敏感电阻的微梁以及一块弹性板构成,工作时微梁仅沿硅 晶向产生直拉或直压的应变,使得传感器具有高的灵敏度和较高的一阶振动频率,拓宽了工作频率带宽,保证传感器在高冲击响应过程中能够测量到较宽范围的频率信号,确保测量信号准确不失真;微梁由各向异性腐蚀溶液KOH溶液腐蚀,由硅(111)晶面作为腐蚀终止面,自动终止所述微梁的腐蚀,整个过程容易控制,可以精确控制微梁的尺寸,成品率大大提高,适于批量生产;传感器的体积较小,抗冲击能力比较大,有益于生产成本的降低。

    基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法

    公开(公告)号:CN104316725B

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201410638056.X

    申请日:2014-11-13

    Abstract: 本发明提供一种基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法,所述加速度计包括(111)单晶硅基底和集成于单晶硅基底一面的固支板、微梁与力敏电阻。该单晶硅基底上所有功能部件均位于所述单晶硅基底的一面,所述单晶硅基底的另一面不参与工艺制作,加工后的芯片具有尺寸小、工艺简单、成本低的特点,适合大批量生产。同时,所述加速度计实现了高g值、高频响、高带宽的测量要求,大大改善了加速度计的动态测量特性。

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