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公开(公告)号：CN117673195A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211090758.X
申请日：2022-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明涉及一种柔性薄型单晶硅太阳电池的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供单晶硅片；S2，对单晶硅片进行制绒，以在单晶硅片的至少一面制作具有金字塔形貌的绒面减反射结构；S3，对单晶硅片的边缘部分进行圆滑处理，该边缘部分为到单晶硅片的边缘的距离不大于5mm的边缘区域；S4，对单晶硅片进行清洗；S5，利用圆滑处理并清洗的单晶硅片制作柔性薄型太阳电池。根据本发明的柔性薄型单晶硅太阳电池的制备方法，消除造成硅片碎裂的应力集中产生区，使薄型单晶硅片具有柔性的结构特征，显著提高单晶硅片的柔性，工艺简单，具有广泛的应用前景和实用价值。
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公开(公告)号：CN111952381B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202010858366.8
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，其包括晶体硅吸收层、本征钝化层、电子选择层和金属电极，其中，本征钝化层设置于晶体硅吸收层上，电子选择层设置于本征钝化层上，金属电极与电子选择层形成欧姆接触，其中，电子选择层为含氧施主微晶硅氧层或含氧施主多晶硅氧层的掺氧硅层，掺氧硅层与晶体硅吸收层和本征钝化层形成能带匹配以实现电子抽取。根据本发明的硅异质结太阳电池，通过掺氧硅层来代替掺磷硅层作为电子选择层，用于解决现有技术在气源成本、安全管理、工艺交叉污染等方面遇到的问题。具体地，根据本发明的硅异质结太阳电池，通过H等离子体处理的掺氧硅层可以将氧原子激发到硅薄膜中的氧施主位置，进而使这种硅薄膜具有电子选择性质。
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公开(公告)号：CN112599645B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202011379359.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种硅异质结太阳电池的制备工艺，包括：步骤101：硅片清洗；步骤102：非晶硅沉积；步骤103：TCO薄膜沉积；步骤104：丝网印刷；步骤105：丝网印刷后退火；还包括在步骤103和步骤104之间增加的步骤106：丝网印刷前退火，该步骤106的退火温度为170～220℃，时间为30～60min，退火气氛为空气。根据本发明提供的硅异质结太阳电池的制备工艺相比现有技术特别地增加了一步退火工艺，这一步骤安排在TCO薄膜沉积之后，丝网印刷之前，该退火工艺的增加既实现了硅异质结太阳电池的填充因子的提升，又保证了电极与焊带之间形成良好的力学接触，保障了整体组件的长期可靠性。
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公开(公告)号：CN112267105A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011062480.6
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺，该硅异质结太阳电池包括本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，该单腔PECVD沉积工艺包括在同一PECVD沉积腔室中沉积本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，其中，在沉积掺杂硅薄膜之后通过氧化性等离子体对PECVD沉积腔室进行后处理，以利用氧化性等离子体产生的氧化性粒子钝化附着在PECVD沉积腔室上的掺杂原子使其失去活性以避免交叉污染。根据本发明的用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺，引入氧化性等离子体，实现了对PECVD沉积腔室的沉积腔壁上残余掺杂原子的钝化作用，有效避免了不同硅薄膜沉积之间的交叉污染，而且能够获得很高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN111640815A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010476722.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法，包括：提供一经过制绒清洗得到的表面清洁的柔性晶体硅衬底；在柔性衬底的相对两侧分别沉积非晶硅薄膜钝化层；在非晶硅薄膜钝化层上分别沉积第一TCO薄膜形成第一受光面和具有增强的红外波段光谱响应的背反射复合薄膜形成第二受光面，其中，背反射复合薄膜由第二TCO薄膜和金属纳米颗粒构成；在第一TCO薄膜和背反射复合薄膜上分别形成金属栅极。本发明利用第二受光面中不同分布的金属纳米颗粒的表面等离子体激元效应增强红外波段的光谱响应，克服柔性硅异质结太阳电池由于基底厚度不足引起的红外区域光谱响应差的缺点，有效提升柔性硅异质结太阳电池的短路电流和转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106282963B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610840597.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；2）将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。在非晶硅生长过程中，通过引入与沉积衬底表面相平行的磁场，磁场可以偏转反应气体中的高速带电粒子，降低所述高速带电粒子对非晶硅生长表面的刻蚀，实现了非晶硅生长速率的大幅提升；同时，非晶硅的微观结构、带隙和折射率与不加磁场干扰时一致。
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公开(公告)号：CN106282963A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610840597.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；2）将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。在非晶硅生长过程中，通过引入与沉积衬底表面相平行的磁场，磁场可以偏转反应气体中的高速带电粒子，降低所述高速带电粒子对非晶硅生长表面的刻蚀，实现了非晶硅生长速率的大幅提升；同时，非晶硅的微观结构、带隙和折射率与不加磁场干扰时一致。
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公开(公告)号：CN117525197A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410008373.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳电池领域，涉及一种空间用低成本高环境耐受性硅异质结太阳电池及其制备方法，所述太阳电池以Ga掺杂p型单晶硅片作为衬底；在所述Ga掺杂p型单晶硅片的前表面依次设置钝化层和电子收集层；在所述Ga掺杂p型单晶硅片的背表面依次设置钝化层和空穴收集层；在电子收集层和空穴收集层的外表面设置透明导电金属氧化物薄膜；在所述透明导电金属氧化物薄膜的外表面设置金属电极；在所述透明导电金属氧化物薄膜和所述金属电极上覆盖薄膜防护层。本发明具有较强的空间耐受性，包括抗紫外和原子氧，抗高能电子和质子辐照，高低温温度冲击等，能够为卫星、空间站、货运仓提供低成本太阳电池和光伏组件。
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公开(公告)号：CN116230787A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310136324.7
申请日：2023-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种边缘抛光的单晶制绒硅片、太阳电池及制备方法。该单晶制绒硅片正面和背面的边缘区域以及硅片的侧面区域不具有金字塔绒面结构，除所述边缘区域和侧面区域以外的其它区域具有金字塔绒面结构。该单晶制绒硅片制备方法包括：腐蚀抛光；形成掩膜；制绒；将掩膜去除。该硅片或电池片的边缘没有金字塔状的绒面结构，是比较光滑的结构，当硅片或电池片受到弯折、震动、热冲击时，能有效避免产生应力集中，因此提高了硅片或电池片的机械强度，降低生产过程中硅片发生碎裂的几率，提高电池片、电池组件产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN114361267A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111516756.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法，包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制，兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输，减少载流子复合，提升SHJ太阳电池转化效率。
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