集成电路测试装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111175635B

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN201911425270.6

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种集成电路测试装置,包括测试机台、可编程电路和信号转换电路,可编程电路分别电连接测试机台的矢量存储模块和信号转换电路。信号转换电路用于电连接测试芯片。矢量存储模块用于存储压缩后的测试矢量,以及根据可编程电路回传的压缩响应确定测试芯片的测试结果。压缩响应为可编程电路对测试芯片返回的测试响应进行压缩得到的响应。可编程电路用于解压压缩后的测试矢量并输出给测试芯片以及压缩测试响应。信号转换电路用于对齐解压后的测试矢量并进行逻辑电平转换输出以及接收测试响应后回传至可编程电路。将测试矢量的解压缩与压缩工作前置到可编程电路,降低测试机台的测试矢量存储与发送压力,大幅提高测试效率。

    多层阻变存储器的温度分布测试方法

    公开(公告)号:CN109493912B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201811342284.7

    申请日:2018-11-12

    Abstract: 本发明公开了一种多层阻变存储器的温度分布测试方法,包括:选定目标层;选定目标层上的多个目标单元;将选定的多个目标单元构成目标集合;对目标集合中的各目标单元进行N次读写,得到各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合;根据各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合分别计算出各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数;根据各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数,获得各目标单元的温度数据集合;根据温度数据集合、各目标单元的位置坐标和热传导方程构建目标层的温度分布模型。本发明能够有效地分析阻变存储器内部的温度,提高了温度分布分析的可靠性。

    缺陷诊断方法和缺陷诊断装置

    公开(公告)号:CN114035013B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202111215184.X

    申请日:2021-10-19

    Abstract: 本发明涉及一种缺陷诊断方法和缺陷诊断装置,缺陷诊断方法包括构建数据模型,数据模型包括已知缺陷信息和与已知缺陷信息对应的仿真特征参数;获取待测三维无源器件的特征参数;基于已知缺陷信息、仿真特征参数和待测三维无源器件的特征参数,获得待测三维无源器件的缺陷信息。通过数据模型构建模块构建数据模型,通过数据采集模块采集待测三维无源器件的特征参数,再搭配数据处理模块,获得待测三维无源器件的缺陷信息,可以同时诊断多缺陷和多故障;通过本发明的缺陷诊断方法和缺陷诊断装置,批量化诊断缺陷类型、缺陷尺寸和缺陷位置,解决复合缺陷检测与诊断的数据量大、操作困难问题,加快生产厂家的可靠性检测效率、检测精度和检测准确度。

    多层阻变存储器的温度分布测试方法

    公开(公告)号:CN109493912A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811342284.7

    申请日:2018-11-12

    CPC classification number: G11C29/50

    Abstract: 本发明公开了一种多层阻变存储器的温度分布测试方法,包括:选定目标层;选定目标层上的多个目标单元;将选定的多个目标单元构成目标集合;对目标集合中的各目标单元进行N次读写,得到各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合;根据各目标单元的高阻态阻值集合和低阻态阻值集合分别计算出各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数;根据各目标单元的高阻态阻值的分布参数和低阻态阻值的分布参数,获得各目标单元的温度数据集合;根据温度数据集合、各目标单元的位置坐标和热传导方程构建目标层的温度分布模型。本发明能够有效地分析阻变存储器内部的温度,提高了温度分布分析的可靠性。

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