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公开(公告)号：CN106449442A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610961010.0
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法基于倒装焊技术，通过芯片或互连载片倒装焊接的方式，配合相应的MEMS微加工工艺技术实现高频固态集成放大器模块波导封装的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，无引脚结构，具有低寄生效应、小键合尺寸及相干参数可控性良好的优点，可用于高频段/太赫兹频段固态集成放大器模块波导封装的低损耗金属互连。
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公开(公告)号：CN116165163A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111405388.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹时域光谱测试设备，包括：用于输出飞秒激光的激光器；设置在激光器的输出光路上，用于将飞秒激光分成探测激光、第一泵浦激光和第二泵浦激光的分光元件；设于磁场中，用于接收第一泵浦激光和第二泵浦激光分别从前后两个表面照射，并产生第一太赫兹脉冲和第二太赫兹脉冲的自旋太赫兹源；其中，第一太赫兹脉冲和第二太赫兹脉冲用于合光入射至待测样品；用于对探测激光与经过待测样品后的第一太赫兹脉冲、第二太赫兹脉冲合光后的光波信号进行探测，以获得待测样品的特性信息的太赫兹脉冲探测器。本申请中从两个表面对自旋太赫兹源进行泵浦激光照射激发，提升太赫兹脉冲强度，进而提高太赫兹时域光谱测试的准确性和实用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112350071A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011204749.X
申请日：2020-11-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种反射式太赫兹偏振转换器，当相变介质层处于绝缘态时，该相变介质层对太赫兹波相当于透明状态。此时太赫兹波可以穿过相变介质层，则顶层金属薄膜与底层金属薄膜之间可以形成一长度较长的谐振腔，进而实现太赫兹波偏振的改变。而当相变介质层处于金属态时，该相变介质层对太赫兹波相当于一层金属薄膜，此时太赫兹波不会穿过相变介质层，则顶层金属薄膜与相变介质层之间可以形成一长度较短的谐振腔，从而在改变相变介质层状态时可以引起反射的太赫兹波相位和强度发生变化，从而实现对反射式太赫兹偏振转换器自身功能的调谐。
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公开(公告)号：CN108023263B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201711155444.2
申请日：2017-11-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器，其具体结构包括：铁磁纳米层/LaAlO3纳米层/SrTiO3衬底/底电极，LaAlO3纳米层和SrTiO3衬底的界面形成有二维电子气；通过飞秒激光脉冲泵浦铁磁纳米层，激发超快自旋流从铁磁纳米层注入二维电子气中，二维电子气中的反Edelstein效应使超快自旋流转换为皮秒量级的瞬时电荷流，从而向两侧辐射出太赫兹脉冲；外加磁场施加于铁磁纳米层面内，改变外加磁场方向可调控太赫兹脉冲的偏振方向；在铁磁纳米层和底电极之间施加电压，可调控太赫兹脉冲的偏振、强度和频谱宽度；因此本发明可在单一器件上实现不同偏振、强度、频谱宽度等的太赫兹脉冲产生。
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公开(公告)号：CN109411993A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811621994.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器，利用交换偏置多层膜中铁磁/非磁薄膜和/或铁磁/反铁磁薄膜的超快自旋流注入与逆自旋霍尔效应产生太赫兹波。同时利用铁磁/反铁磁薄膜的交换偏置效应产生的交换偏置磁场，固定钉扎铁磁薄膜的磁化强度；并通过旋转样品架旋转交换偏置多层膜，使铁磁薄膜的磁化强度的取向随之旋转，从而改变产生的太赫兹波的偏振方向。该太赫兹波发生器能够产生和非线性晶体相比拟的太赫兹波，且产生的频谱更宽、结构简单而成本更为低廉。同时，本发明利用铁磁/反铁磁薄膜的交换偏置效应固定了磁化强度的取向，避免了外加磁场发生装置的问题，使得太赫兹波发生器更加简洁方便，且更为实用。
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公开(公告)号：CN109407352A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811383848.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0136 , G02F1/0102
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹偏振调控器件，所述太赫兹偏振调控器件包括介电超结构和衬底；所述介电超结构为全介质材料的介电超结构，所述介电超结构包括周期性分布的柱状介电单元；所述柱状介电单元的长轴长度与待调整太赫兹波长的比值处于第一预设区间中；短轴长度与待调整太赫兹波长的比值处于第二预设区间中；高度与待调整太赫兹波长的比值处于第三预设区间中；相邻所述柱状介电单元在长轴方向上的间距与待调整太赫兹波长的比值处于第四预设区间中；相邻所述柱状介电单元在短轴方向上的间距与待调整太赫兹波长的比值处于第五预设区间中。提高器件工作效率，增大相位调制范围。本发明还提供了一种具有上述优点的太赫兹偏振调控器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN106276783A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610963499.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00301
Abstract: 本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸、形状可控行好；还可以实现同一功能集成板上多芯片的一次性互连，缩短工艺制作周期，可用于高频段甚至太赫兹频段电子器件间的低损耗金属互连和集成封装。
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