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公开(公告)号:CN107164740A
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201710334072.3
申请日:2017-05-12
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/274 , C23C16/4581 , C23C16/463
Abstract: 本发明公开一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法,属于晶体合成技术领域。该方法中,基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上,其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台,用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布,提高所制备的金刚石膜的均匀性,同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、适合于制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。
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公开(公告)号:CN106918734A
公开(公告)日:2017-07-04
申请号:CN201710328401.3
申请日:2017-05-11
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R19/0092
Abstract: 本发明公开了一种用于真空二极管电流测量的B‑dot探头,包括电缆座、接地外壳、连接杆、真空电缆连接器、绝缘薄片,所述电缆座与接地外壳之间通过螺栓固定连接为一体;所述电缆座的轴心处设置有通孔,所述通孔内设置为真空电缆连接器,所述绝缘薄片设置在接地外壳内,所述接地外壳与电缆座通过螺钉连接,所述绝缘薄片与电缆座之间设置有感应线圈,所述感应线圈的一端连接到真空电缆连接器,感应线圈的另一端连接到电缆座上;本发明设计巧妙,结构简单易于实现,使用方便且制作和维护费用较低,具有突出的实质性特点和显著进步,在真空二极管电流测量领域适合大规模推广应用。
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公开(公告)号:CN104332373B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201410624507.4
申请日:2014-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J23/04
Abstract: 本发明公开了一种产生圆柱形多注强流相对论电子束的冷阴极,包括采用传导率高、发射阈值高金属材料,且具有外直径相同的圆柱形结构,互相之间同轴心并保持良好电连接的阴极杆、阴极杆过渡环、阴极杆过渡段、阴极座、阴极柱、阴极球头;本发明中发射部件阴极球头的表面场分布均匀因此具有均匀的电子发射密度,发射的多注圆柱形电子束各自相对自身中心呈对称分布,在适当的引导磁场作用下,电子束在多注飘移管内传输过程中的绕自身中心旋转不容易造成电子束与飘移管壁的碰撞,具有较高的传输效率,漂移管内电子束的空间位形保持不变,提高了束波转换效率。
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公开(公告)号:CN104409301B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201410624510.6
申请日:2014-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J23/087
Abstract: 本发明公开了一种轴向无箔二极管复合引导磁场系统,包括绝缘子,阳极筒,环形阴极,飘移管及围绕安装在飘移管外侧的螺线管、磁体柱和永磁环;所述漂移管的一侧设置环形阴极,环形阴极的另一侧与所述磁体柱的一端连接;磁体柱的另一端依次穿过永磁环和绝缘子与外部连接。本发明中,通过对永磁环、螺线管、软磁体的组合使用,实现了轴向电子束的稳定高效率传输,并且系统结构紧凑、重量较低,需要消耗的功率低,产生的磁场分布可方便地调节。
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公开(公告)号:CN104409301A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410624510.6
申请日:2014-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J23/087
CPC classification number: H01J23/087
Abstract: 本发明公开了一种轴向无箔二极管复合引导磁场系统,包括绝缘子,阳极筒,环形阴极,飘移管及围绕安装在飘移管外侧的螺线管、磁体柱和永磁环;所述漂移管的一侧设置环形阴极,环形阴极的另一侧与所述磁体柱的一端连接;磁体柱的另一端依次穿过永磁环和绝缘子与外部连接。本发明中,通过对永磁环、螺线管、软磁体的组合使用,实现了轴向电子束的稳定高效率传输,并且系统结构紧凑、重量较低,需要消耗的功率低,产生的磁场分布可方便地调节。
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公开(公告)号:CN112291912B
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202011319587.4
申请日:2020-11-23
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Inventor: 李鹏 , 王建新 , 周征 , 胡栋材 , 肖德鑫 , 吴岱 , 黎明 , 杨兴繁 , 王远 , 王孝忠 , 赵剑衡 , 陈门雪 , 鲁燕华 , 王汉斌 , 刘宇 , 单李军 , 沈旭明 , 和天慧 , 徐勇 , 周奎 , 劳成龙 , 罗星 , 白燕 , 闫陇刚 , 邓德荣 , 陈立均 , 刘婕 , 张德敏 , 潘清 , 柏伟 , 陈亚男 , 邓仕钰 , 李文君 , 宋志大 , 张成鑫 , 刘清华 , 李敬 , 李寿涛 , 李世根 , 程云 , 蒲晓媛 , 涂国锋 , 蔡哲 , 陈云斌 , 力涛 , 石正军 , 罗为 , 刘春林 , 张小丽 , 张冬 , 余虹 , 丁玉寿 , 李雷
IPC: H05G2/00 , G01N23/046 , G01B15/00
Abstract: 本发明公开一种高能微焦点X射线生产设备,包括用于生成高能电子束的电子源组件和用于被电子束轰击生成高能X射线的旋转靶设备,电子源组件生成的高能聚焦电子束轰击到旋转靶设备上生成高能微焦点X射线。本申请通过采用特定的电子源和直线加速器相配合,提供长宏脉冲高平均流强的电子束,再通过螺线管和强聚焦四极透镜组的聚焦,将长宏脉冲高平均流强的电子束横向尺寸在打靶位置聚焦到比较小的尺寸,并通过束斑测量组件对电子束横向尺寸进行精确测量控制,将束斑尺寸控制到0.1mm以下,实现高能微焦点X射线输出的目的。
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公开(公告)号:CN107895719B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN201711360438.0
申请日:2017-12-18
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01L23/48 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种可调节高阻抗小型化高压二极管,包括绝缘子、阳极筒、阴极杆、阴极座、环形阴极和飘移管,所述阳极筒与飘移管同轴线设置,其外部表面同轴设置有主引导磁场,所述阴极杆、阴极座、环形阴极依次同轴连接为一体,与阳极筒同轴线设置,与阳极筒在轴向位置上不重叠,所述阴极杆上同轴设置有补充磁场,所述环形阴极与阳极筒之间的轴向距离可以调节;本发明能够实现高压二极管的高阻抗性能,设计巧妙,结构简单易于实现,使用方便且制作和维护费用较低,体积小,重量轻,能耗低,在高阻抗微波器件研制中具有广泛的应用前景,在移动平台应用中尤为有利,具有突出的实质性特点和显著进步,适合大规模推广应用。
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公开(公告)号:CN111642049A
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:CN202010525459.9
申请日:2020-06-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Inventor: 王建新 , 吴岱 , 肖德鑫 , 罗星 , 黎明 , 杨兴繁 , 单李军 , 李鹏 , 沈旭明 , 和天慧 , 胡栋材 , 徐勇 , 周奎 , 王汉斌 , 劳成龙 , 白燕 , 闫陇刚 , 陈立均 , 刘宇 , 刘婕 , 周征 , 张德敏 , 潘清 , 柏伟 , 陈亚男 , 邓仕钰 , 李文君 , 宋志大
IPC: H05G1/08
Abstract: 本发明公开了一种X射线源,该X射线源包括用于产生长脉冲低能电子束的电子源、用于加速低能电子束的超导直线加速器以及用于通过电子束作用产生X射线的X射线靶,所述电子源通过第一束流传输线与超导直线加速器连接,所述超导直线加速器通过第二束流传输线与X射线靶连接。本发明解决了传统基于常温直线加速器的X射线源无法提供长脉冲的X射线的问题。
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公开(公告)号:CN106929828A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201710334592.4
申请日:2017-05-12
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4583
Abstract: 本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台,属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上,其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台,用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布,提高所制备的金刚石膜的均匀性,同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。
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公开(公告)号:CN104332373A
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201410624507.4
申请日:2014-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J23/04
CPC classification number: H01J23/04
Abstract: 本发明公开了一种产生圆柱形多注强流相对论电子束的冷阴极,包括采用传导率高、发射阈值高金属材料,且具有外直径相同的圆柱形结构,互相之间同轴心并保持良好电连接的阴极杆、阴极杆过渡环、阴极杆过渡段、阴极座、阴极柱、阴极球头;本发明中发射部件阴极球头的表面场分布均匀因此具有均匀的电子发射密度,发射的多注圆柱形电子束各自相对自身中心呈对称分布,在适当的引导磁场作用下,电子束在多注飘移管内传输过程中的绕自身中心旋转不容易造成电子束与飘移管壁的碰撞,具有较高的传输效率,漂移管内电子束的空间位形保持不变,提高了束波转换效率。
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