分阶段背景抑制红外焦平面单元电路

    公开(公告)号:CN101634593A

    公开(公告)日:2010-01-27

    申请号:CN200910184799.3

    申请日:2009-08-14

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种分阶段背景抑制红外焦平面单元电路,其特征在于:设有包括注入电路、积分电容电路、背景减去电流电路及行选控制电路,红外探测器的输出端接注入电路的输入端;注入电路的输出端接积分电容电路的输入端;积分电容电路的输出端以及背景减去电流电路的输出端与行选控制电路的输入端相互连接,行选控制电路的输出端接后续信号处理电路,背景减去电流电路的第一输入端、第二输入端分别接偏置电压V B1 、偏置V B2 ;利用背景减去电流电路在积分过程中分阶段导通,来减去背景电流在积分电容上累积的电荷,以实现背景抑制。

    耗尽型NMOS管稳定电压源电路

    公开(公告)号:CN101334681A

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:CN200810124373.4

    申请日:2008-06-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种耗尽型NMOS管稳定电压源电路,电路中含有增强型NMOS管及耗尽型NMOS管,其特征是电路中还设有用来产生与增强型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第一负温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第二负温度系数电压产生电路以及将第一、第二负温度系数电压产生电路产生的两个具有负温度系数的电压值相减,获得低温漂稳定电压源。

    耗尽型MOS管稳定电压源电路

    公开(公告)号:CN101308394A

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200810124380.4

    申请日:2008-06-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种耗尽型MOS管稳定电压源电路,其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管,以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减,通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。

    焦平面的开窗口读出电路

    公开(公告)号:CN101231191A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200810020795.7

    申请日:2008-02-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种焦平面的开窗口读出电路,其特征在于包括:数据寄存器,行地址选择电路,行窗口大小控制电路,列地址选择电路和列窗口大小控制电路。本发明的有益效果在于:本发明的焦平面的开窗口读出电路可以实现任意开窗,即可以从指定像素开始读出,并且窗口大小、起始地址和读出顺序均可控;不但可以满像素输出保持大的视场,而且可以任意指定图像中的一个区域开窗口读出,大大提高了图像输出的速率。可应用于各个波段焦平面读出电路,比如:红外焦平面读出电路,CMOS图像传感器读出电路、紫外焦平面读出电路等,具有广泛的适应性。

    CMOS基准源电路
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101004618A

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200610161588.4

    申请日:2006-12-28

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准源电路,包括启动电路,主偏置电流产生电路,基准电压产生电路及基准电流产生电路;启动电路,主偏置电流产生电路,基准电压产生电路及基准电流产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd,主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端,主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端,基准电压产生电路的输出端连接基准电流产生电路的第一输入端,基准电压输出端输出基准电压并与基准电流产生电路的第二输入端连接,基准电流产生电路的输出端输出基准电流。

    一种红外读出电路的背景抑制方法及其电路

    公开(公告)号:CN101582978B

    公开(公告)日:2011-02-09

    申请号:CN200910033324.4

    申请日:2009-06-18

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种红外读出电路的背景抑制方法及其电路,设有负电荷包产生器、探测器、注入电路、采样保持电路及缓冲器,负电荷包产生器的输出端与注入电路的一个输入端连接;探测器的输出端与注入电路的另一个输入端连接,注入电路的输出端与采样保持电路的输入端连接,采样保持电路的输出端与缓冲器的输入端连接,缓冲器的输出端接后续信号处理电路。本发明采用负电荷包产生器分阶段提供多个负电荷包来减去背景电流在积分电容上累积的电荷,不需要现有技术的背景电流存储器产生背景减去电流来实现背景抑制,具有极低的背景抑制非均匀性,并且不引入额外的噪声和功耗。

    一种线性高动态范围红外读出电路

    公开(公告)号:CN101514922A

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200910030321.5

    申请日:2009-03-11

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种线性高动态范围红外读出电路,设有包括单元电路、列读出级和输出缓冲级、时序产生电路、行选择电路、列选择电路,其特征是:单元电路包括用于控制单元电路积分时间的积分控制单元、用于控制单元电路中积分电容复位的复位控制单元、用于选择单元电路积分电容大小的积分电容自选单元、自选积分电容控制信号产生单元及传输单元。本发明可在积分过程中对积分电容进行自动选择,在小的光电流情况下采用小的积分电容,在大的光电流情况下采用大的积分电容。一方面减小光电流为零情况下的噪声等效电荷,另一方面增加了读出电路的最大电荷存储容量,从而总体上提高了动态范围。

    输出电压可调式CMOS基准电压源

    公开(公告)号:CN100478824C

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200610161589.9

    申请日:2006-12-28

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种便于在标准CMOS工艺上实现的输出电压可调式CMOS基准电压源。包括启动电路,正温度系数电流产生电路,负温度系数电流产生电路及基准电压产生电路;启动电路的输出端接正温度系数电流产生电路的输入端,正温度系数电流产生电路的第一输出端分别与负温度系数电流产生电路的第一输入端和基准电压产生电路的第三输入端连接,正温度系数电流产生电路的第二输出端分别与负温度系数电流产生电路的第二输入端和基准电压产生电路的第四输入端连接,负温度系数电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端,基准电压产生电路具有基准电压输出端,输出基准电压。

    输出电压可调式CMOS基准电压源

    公开(公告)号:CN101013331A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200610161589.9

    申请日:2006-12-28

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种便于在标准CMOS工艺上实现的输出电压可调式CMOS基准电压源。包括启动电路,正温度系数电流产生电路,负温度系数电流产生电路及基准电压产生电路;启动电路的输出端接正温度系数电流产生电路的输入端,正温度系数电流产生电路的第一输出端分别与负温度系数电流产生电路的第一输入端和基准电压产生电路的第三输入端连接,正温度系数电流产生电路的第二输出端分别与负温度系数电流产生电路的第二输入端和基准电压产生电路的第四输入端连接,负温度系数电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端,基准电压产生电路具有基准电压输出端,输出基准电压。

    红外焦平面读出电路
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101009762A

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:CN200710019476.X

    申请日:2007-01-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 为了解决现有技术中红外焦平面读出电路只有一种读出顺序、且像素单元电路中的积分电容固定的问题,本发明提供一种红外焦平面读出电路,包含行读出顺序选择及行选择信号产生电路(1)、列读出顺序选择及列选择信号产生电路(2)、积分电容可选的像素单元电路(3)、列读出级电路(4)和输出缓冲级(5)。其中行读出顺序控制信号(LS)、行选择输入信号(Lin)接行读出顺序选择及行选择信号产生电路(1),列读出顺序控制信号(CS)、列选择输入信号(Cin)接列读出顺序选择及列选择信号产生电路(2)。它能够提供四种不同的像素单元读出顺序,同时像素单元的积分电容可选。

Patent Agency Ranking