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公开(公告)号：CN105752953A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610065411.8
申请日：2016-01-29
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院 , 东南大学
IPC: C01B21/082
CPC classification number: C01B21/082 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨相氮化碳的制备方法，其制备过程包括：以富氮有机物为原料，以石墨或碳化硅为微波吸收剂，将富氮有机物与微波吸收剂混合均匀，在微波辐照的电磁场中，控制压力为5?35kPa、微波辐照的功率为2?10kW，控制升温速率为50?500℃/min，在450?700℃保温反应5?30min，得到石墨相氮化碳。本方法基于高能微波辐照处理方法，可快速、高效的得到层状结构的石墨相氮化碳；且该方法具有简单高效，成本低廉，不使用催化剂、有机溶剂、保护气体等各种昂贵或对环境有害的试剂，环境友好，不需要进行原料的预处理等优点，是一种有利于进行大规模商业化生产的绿色制备方法。
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公开(公告)号：CN105274624A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510649307.9
申请日：2015-10-09
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种利用微波辐照制备钒掺杂半绝缘碳化硅的方法，其特征在于：以单质钒金属粉末或固态含钒化合物为掺杂剂，以人造石墨粉、活性碳、碳纤维或天然鳞片石墨粉为碳源，以硅粉与氧化硅粉的混合粉末为硅源，真空环境条件下，在微波辐照的电磁场中保温，得到钒掺杂半绝缘碳化硅。该方法，与获得稳定晶体结构之后再进行掺杂的方式相比，不要严苛的注入条件，也保证了钒在的成功掺杂。而自组装的原位反应过程，以及能量最小化的晶格调整过程，也实现了结构理想的钒掺杂半绝缘碳化硅的顺利获取，成功回避了必须通过高温退火工艺进行后处理的影响。
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公开(公告)号：CN1962548A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610098029.3
申请日：2006-11-28
Applicant: 东南大学
IPC: C04B35/634
Abstract: 一种可应用于陶瓷材料高温连接的树脂型高温粘结剂，其特征在于该粘结剂的组成为：作为高温粘结剂基体物质的有机树脂，和作为改性填料的B4C、BPO4、BN、B2O3，有机树脂与改性填料的质量比为1∶0.5～1.5，其中改性填料为B4C、BPO4、BN、B2O3中的一种或几种复配物。本发明提供的技术方案实现了陶瓷材料的高温粘接，解决了脆性的高温陶瓷材料在生产/加工大型、或结构复杂部件时所面临的粘结难题；及其在陶瓷材料或制品连接、组合中的连接技术问题；并可应用于材料/部件在损伤后的粘接修复，降低了应用成本。
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公开(公告)号：CN117881020A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311597317.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 东南大学 , 江苏农林职业技术学院
IPC: H05B3/14 , H05B3/12 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯三元异质结自支撑半导体膜及其制备方法，属于半导体基板材料技术领域。具体合成步骤为：以三聚氰胺为原料与吸波剂机械混匀后，再使用高能微波处理得到石墨相g‑C3N4原料；以微波溶剂热法制备rGO/MoS2复合材料，并在高能微波辐照环境下形成MoS2复合的rGO；rGO/MoS2/C3N4三元异质结的复合是采用微波辅助一锅方案在微波环境中加热形成三元异质结材料；自支撑半导体膜是使用三元异质结材料进行加热辊压后直接得到。本方法制备得到异质结半导体膜易被激发、具有各向异性的电子传导能力，可作为新型半导体膜材料应用在电热、电池、集成电路等功能领域。
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公开(公告)号：CN105752953B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201610065411.8
申请日：2016-01-29
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院 , 东南大学
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明公开了一种石墨相氮化碳的制备方法，其制备过程包括：以富氮有机物为原料，以石墨或碳化硅为微波吸收剂，将富氮有机物与微波吸收剂混合均匀，在微波辐照的电磁场中，控制压力为5‑35kPa、微波辐照的功率为2‑10kW，控制升温速率为50‑500℃/min，在450‑700℃保温反应5‑30min，得到石墨相氮化碳。本方法基于高能微波辐照处理方法，可快速、高效的得到层状结构的石墨相氮化碳；且该方法具有简单高效，成本低廉，不使用催化剂、有机溶剂、保护气体等各种昂贵或对环境有害的试剂，环境友好，不需要进行原料的预处理等优点，是一种有利于进行大规模商业化生产的绿色制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105271234B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510649002.8
申请日：2015-10-09
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院 , 东南大学
IPC: C01B32/97 , C01B32/984
Abstract: 本发明公开了一种利用微波原位反应合成p型掺杂碳化硅的方法，其步骤包括：利用ⅢA族元素单质或含ⅢA族元素的化合物为掺杂剂，以人造石墨粉、活性碳、焦碳或碳纤维为碳源，以硅粉或硅粉与氧化硅粉的混合粉末为硅源，真空条件下，在微波辐照的电磁场中保温一段时间，得到p型掺杂碳化硅。制备过程中不需进行原料预处理或后续退火等过程，也不需催化剂、模板以及衬底等，具有快捷、简单、高效、重现性好等特点。此外，微波辐照处理技术本身所特有的加热速度快，加热均匀，热惯性小，生产周期短等优势，进一步降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN1986734A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610098065.X
申请日：2006-11-29
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02P20/143
Abstract: 利用化学转化法提高有机树脂的残炭值的方法，涉及一种利用化学转化法提高有机树脂残炭值，用于生产高性能的炭/炭复合材料，耐火材料、摩阻制动材料，高温胶粘剂等高温领域的材料/制品等，该方法利用化学转化的方法，将添加有B4C的有机树脂在高温下热裂解，该有机树脂炭化释放出的一氧化碳与B4C反应，转化成无定型炭并保留在该树脂内部，从而有效提高该有机树脂的高温残炭值。所述有机树脂为含氧树脂如：酚醛树脂、或呋喃树脂、或沥青树脂或环氧树脂的一种或几种的复合物。该发明所使用的改性试剂原料主要为碳化硼(B4C)，是较为常见的陶瓷材料。改性工艺简单，效果明显，结构稳定性和高温残炭值明显提高，适用范围广。
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公开(公告)号：CN119370834A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202311597316.9
申请日：2023-11-28
Applicant: 东南大学 , 江苏农林职业技术学院
IPC: C01B32/184 , H05B3/14 , H05B3/20 , C01B32/198 , C01B21/082
Abstract: 本发明涉及功能纳米材料制备领域，具体为一种石墨相氮化碳与石墨烯复合电热膜及其制备方法。首先，利用高能微波加热富氮有机物制备石墨相氮化碳(g‑C3N4)纳米片；进一步将g‑C3N4纳米片进行水热反应获得可溶性g‑C3N4纳米片；然后将可溶性g‑C3N4纳米片分散在氧化石墨烯(GO)溶液中，超声分散后将悬浮液抽滤得到g‑C3N4/GO复合膜；最后，利用微波辐照加热还原，得到石墨相氮化碳与石墨烯(g‑C3N4/rGO)复合电热膜。由于加入了具有良好分散性和水溶性的g‑C3N4纳米片，因而其导热性能优于现有技术纯石墨烯电热膜，其可用于保温产品；高能微波辐照加热速率更快，处理时间更短，具有工艺简单、操作方便、对设备要求低、成本低、处理效率高、无二次污染等优点，有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105274624B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510649307.9
申请日：2015-10-09
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院 , 东南大学
IPC: C30B29/36 , C30B1/00 , C01B32/963 , C30B30/06
Abstract: 本发明公开了一种利用微波辐照制备钒掺杂半绝缘碳化硅的方法，其特征在于：以单质钒金属粉末或固态含钒化合物为掺杂剂，以人造石墨粉、活性碳、碳纤维或天然鳞片石墨粉为碳源，以硅粉与氧化硅粉的混合粉末为硅源，真空环境条件下，在微波辐照的电磁场中保温，得到钒掺杂半绝缘碳化硅。该方法，与获得稳定晶体结构之后再进行掺杂的方式相比，不要严苛的注入条件，也保证了钒在的成功掺杂。而自组装的原位反应过程，以及能量最小化的晶格调整过程，也实现了结构理想的钒掺杂半绝缘碳化硅的顺利获取，成功回避了必须通过高温退火工艺进行后处理的影响。
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公开(公告)号：CN105271234A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510649002.8
申请日：2015-10-09
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院 , 东南大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明公开了一种利用微波原位反应合成p型掺杂碳化硅的方法，其步骤包括：利用ⅢA族元素单质或含ⅢA族元素的化合物为掺杂剂，以人造石墨粉、活性碳、焦碳或碳纤维为碳源，以硅粉或硅粉与氧化硅粉的混合粉末为硅源，真空条件下，在微波辐照的电磁场中保温一段时间，得到p型掺杂碳化硅。制备过程中不需进行原料预处理或后续退火等过程，也不需催化剂、模板以及衬底等，具有快捷、简单、高效、重现性好等特点。此外，微波辐照处理技术本身所特有的加热速度快，加热均匀，热惯性小，生产周期短等优势，进一步降低了制备成本。
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