-
公开(公告)号：CN111426927B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201811583501.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件动态电学应力施加装置，包括：信号发生器、光耦保护模块、栅脉冲驱动模块、高压控制模块和所述n个被测功率半导体器件，其中，所述信号发生器、所述光耦保护模块、所述栅脉冲驱动模块依次串接至所述n个被测功率半导体器件栅极，所述高压控制模块与所述n个被测功率半导体器件漏极相连，所述n个被测功率半导体器件源级接地。本发明还涉及一种功率半导体器件动态电学应力测试方法。本发明能够同时完成对一个或多个被测功率半导体器件进行动态电学应力的施加，通过光耦保护模块实现了信号发生器与高压电路的光电隔离，方便对被测功率半导体器件退化参数的监测，提高了动态电学应力条件下热载流子可靠性测试的效率。
-
公开(公告)号：CN113487838B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111046545.2
申请日：2021-09-08
Applicant: 东南大学 , 江苏有线数据网络有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种面向小区地震预警的装置和方法，主要内容是：在硬件方面选用新唐科技的嵌入式arm芯片N32926U1DN作为整块开发板的MCU，辅以以太网芯片RTL8201和RJ45网口进行网络通信，并设计了mini PCIe接口和一些冗余接口用以连接移远通信的EC20模块及其它模块；在软件方面则实现了MQTT的客户端功能，用于订阅预警平台的发布信息，完成与预警发布平台之间的通信功能，接着对获得的地震信息进行解析，并综合EC20模块和智能音柱，配合基站服务，实现定向的预警短信提醒和局部范围内的应急音频广播,可以实现对地震预警内容的及时播报，从而减少灾害造成的人民生命安全损失。
-
公开(公告)号：CN112635332A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910949865.5
申请日：2019-10-08
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法，所述方法包括：获取基底；通过溶液工艺在所述基底上形成IGZO层；通过自旋掺杂工艺在所述IGZO层表面掺杂V族杂质；在所述IGZO层的一侧形成源极、另一侧形成漏极，并在所述掺杂后的IGZO层上形成栅介电层；在所述栅介电层上形成栅极。本发明的IGZO层通过溶液工艺形成，并通过自旋掺杂工艺在沟道区表面掺杂V族杂质，能够提高沟道载流子浓度，从而提高器件工作电流密度；且由于掺杂采用溶液工艺，相比于离子注入等工艺不会造成IGZO层表面损伤。
-
公开(公告)号：CN111354794A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811583692.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116705609B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210181654.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10D30/01 , H10D30/65 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN116417347A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111682019.5
申请日：2021-12-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司 , 东南大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/40
Abstract: 本发明提供了一种具有结型场板的DMOS器件及其制造方法，漏区在半导体基底的表面，源区在第一沟槽的底部的半导体基底中，栅极在第一沟槽的底部，由此实现了纵向耐压，可以缩小整个器件的尺寸，降低导通电阻，极大的优化了耐压和导通电阻的关系。结型场板使得降低表面电阻的效果得到了提升，同时DMOS器件中的沟槽深度可以减小，从而减小了器件的深宽比，进而提高了提升耐压档位的可行性。所述DMOS器件中的源区和漏区均在同一表面引出，从而可以兼容CMOS器件的制造工艺。第二掺杂多晶硅层包括导电类型不同的第一子掺杂层和第二子掺杂层，由此，在N型栅极的情况下，P型掺杂层也能够直接连接栅极电位，提高了结型场板的功效。
-
公开(公告)号：CN111354794B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201811583692.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。
-
公开(公告)号：CN113487838A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202111046545.2
申请日：2021-09-08
Applicant: 东南大学 , 江苏有线数据网络有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种面向小区地震预警的装置和方法，主要内容是：在硬件方面选用新唐科技的嵌入式arm芯片N32926U1DN作为整块开发板的MCU，辅以以太网芯片RTL8201和RJ45网口进行网络通信，并设计了mini PCIe接口和一些冗余接口用以连接移远通信的EC20模块及其它模块；在软件方面则实现了MQTT的客户端功能，用于订阅预警平台的发布信息，完成与预警发布平台之间的通信功能，接着对获得的地震信息进行解析，并综合EC20模块和智能音柱，配合基站服务，实现定向的预警短信提醒和局部范围内的应急音频广播,可以实现对地震预警内容的及时播报，从而减少灾害造成的人民生命安全损失。
-
公开(公告)号：CN109995236A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711480340.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 一种LLC变换器同步整流管的控制系统，包括电压采样电路、高通滤波电路、PI补偿及有效值检测电路、以微控制器MCU为核心的控制系统。利用电路中不可避免存在的寄生电感和寄生电容引起电路波形振荡的原理，当LLC变换器在高频下工作时，同步整流管的漏源电压VDS(SR)通过采样电路将关断期间的漏源电压的变化信号送入高通滤波电路和PI补偿及有效值检测电路得到因寄生参数引起的漏源电压振荡信号的有效值放大信号，并通过以微控制器MCU为核心的控制电路比较当前值与上一次采集值的关系，从而改变同步整流管在下个周期中的导通时间，最终使同步整流管能在最佳的关断点关断，实现同步整流管的最优效率工作。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.029 seconds)
