一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器

    公开(公告)号:CN106936399A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710122511.4

    申请日:2017-03-03

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器,设有匹配单元、第一放大单元、复用单元、第二放大单元、第一负载单元、第三放大单元、第二负载单元和电容C4、C5、C6。匹配单元采用级联L型输入匹配网络实现50欧姆输入阻抗匹配,射频输入信号通过匹配单元经第一放大单元进行放大,放大后的信号电压通过复用单元到实现电流复用的第二放大单元进行第二次放大并送至第一负载单元,第二次放大后的信号电压还通过电容C4、C5送至采用多栅晶体管并联技术的第三放大单元进行第三次放大并送至负载单元并通过电容C6输出射频输出信号。

    一种具有噪声抵消的低功耗宽带射频前端电路

    公开(公告)号:CN104104336B

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201410274038.8

    申请日:2014-06-18

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种具有噪声抵消的低功耗宽带射频前端电路,包括低噪声放大器和下变频混频器,低噪声放大器的输出连接下变频混频器的输入端,其特征在于,低噪声放大器包括信号合成单元及第一、第二两个输入放大单元,差分射频输入信号的正、负两端分别连接第一、第二两个输入放大单元的正输入端和负输入端,第一和第二两个输入放大单元的输出送给信号合成单元,信号合成单元输出送入第一、第二两个混频单元,第一混频单元和第二混频单元分别通过开关控制输入的射频电流信号,将射频电流信号下变频到中频频段,通过下变频混频器输出同相差分中频信号和正交差分中频信号。

    一种高增益的宽带低噪声放大器

    公开(公告)号:CN102983817B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201210480327.4

    申请日:2012-11-22

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 李智群 陈亮

    Abstract: 一种高增益的宽带低噪声放大器,其特征在于:采用有源跨导增强电路,设有高频扼流单元、负载单元以及第一、第二两个输入放大单元,射频输入信号分别连接第一、第二两个输入放大单元的输入端,第一输入放大单元的输出端将放大信号输入到第二输入放大单元,第二输入放大单元的输出端连接负载单元,负载单元输出射频输出信号,第二输入放大单元的输入端还串联高频扼流单元后接地。

    一种低功耗高增益宽带混频器

    公开(公告)号:CN103532493A

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201310538734.0

    申请日:2013-11-01

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种低功耗高增益宽带混频器,含吉尔伯特混频器的基本结构,设有射频巴伦、本振巴伦、跨导单元、开关单元和含有差分电感与负载端寄生电容并联的负载单元,射频巴伦将输入的射频单端信号转换成差分信号后输出至跨导单元,跨导单元将射频电压信号转换成射频电流并输入至开关单元;本振巴伦将输入的本振单端信号转换成差分信号后亦输出至开关单元,开关单元将输入的射频差分信号与输入的本振差分信号相乘后输出中频差分信号并通过含有差分电感与负载端寄生电容并联的负载单元输出,其特征在于:在开关单元之后增设正反馈单元、LCR谐振单元和缓冲单元,与含有差分电感及并联寄生电容的负载单元共同构成新的负载单元,由缓冲单元输出最终的中频差分信号。

    一种超高Q值片上可调电感

    公开(公告)号:CN103001566A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210406980.6

    申请日:2012-10-23

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 李智群 曹佳

    Abstract: 一种超高Q值片上可调电感,包括电感单元、电容调控单元和负阻调控单元,电感单元设有电磁耦合的主电感及副电感,主电感的两端与射频输出连接;电容调控单元设有两个串接的可变电容C1及C2,其串接端连接外部控制信号VC1,可变电容C1及C2的另一端分别连接副电感的同相端及反相端;负阻调控单元设有五个晶体管,晶体管M1的栅极连接外部输入的控制信号VC2,晶体管M1的源极接地,漏极与晶体管M2及M3的源极连接在一起,晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极、晶体管M5的漏极、晶体管M4的栅极以及副电感的反相端连接在一起,晶体管M3的栅极与晶体管M2的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M5的栅极以及副电感的同相端连接在一起,晶体管M4及M5的源极均连接电源VDD。

    一种低功耗宽带低噪声放大器

    公开(公告)号:CN102332868A

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN201110315639.5

    申请日:2011-10-18

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种低功耗宽带低噪声放大器,设有输入单元1、输入单元2、隔离单元3、隔离单元4以及负载单元5。输入单元1、输入单元2采用电流复用共栅结构,并在输入级的MOS管栅极到源极和衬底到源极进行了双交叉耦合,差分输入端通过输入单元1、输入单元2实现50欧姆输入阻抗。PMOS管产生的信号电流通过隔离单元4后与NMOS管产生的信号电流相叠加,再通过隔离单元3送至负载单元5,最终输出放大的电压差分信号。

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