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公开(公告)号：CN113652744B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110916531.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法，即金表面辅助剥离少层或单层GeSe，然后金表面诱导少层GeSe退化调控层数的方法。这种方法的特点是：1.通过金薄膜辅助获得大面积的少层或者单层GeSe薄片，依托于现有的GeSe单晶制备或CVT法GeSe薄膜制备，其产率接近于GeSe制备工艺水平；2.通过控制退化时间来精确调控需要的GeSe层数，对剩下的少层或单层GeSe无结构性破坏；3.调控获得的GeSe样品同样可通过刻蚀衬底然后转移，实现进一步的器件应用。通过这种方法可以精确获得所需的GeSe原子层厚度，克服了传统减薄方法的随机性和原子层厚度不均匀性，方便后续的器件应用。
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公开(公告)号：CN113417002A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110702453.9
申请日：2021-06-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，所述制备方法具体过程如下：在氮气流中，将一定配比的三元合金放在六方氮化硼粉末上，先高温加热使合金熔融，保持一段时间，后以极低速度降温，在保持高温与缓慢降温的过程中，晶体会在金属合金表面生长，最终生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前阻碍二维材料六方氮化硼研究的主要问题就是高质量高产量的体单晶难以制备，成本高，而该方法结构简单，其关键工艺为合金成分以及比例，本方法使用的合金成分主要为铁、镍、铬三种，稳定配比情况下，生长效果显著，成本较低，对于推进六方氮化硼的广泛应用具有很大积极意义，同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。
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公开(公告)号：CN109544977B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201811608955.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种智能停车管理系统及方法，其中远端服务器用于系统管理；APP客户端用于注册绑定身份信息；一种薄膜自供电感知设备用于检测车辆上的身份信息，并通过远端服务器传送给APP客户端，并向其发布指令操作，APP客户端在收到指令操作后，用于根据实际情况操作并反馈需要至远端服务器；超声测距辅助设备用来辅助停车，并用来定向监控车辆位置；监控设备将用户需求通过远端服务器反馈至APP客户端；区域交互总机用于接收薄膜自供电感知设备发射的“满”或“空”信息，同时更新对应信息至远端服务器。本发明忽略排队购票过程，实现了检测设备自供电，具有低成本，使用便捷，节约土地资源以及绿色节能环保等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109544977A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811608955.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种智能停车管理系统及方法，其中远端服务器用于系统管理；APP客户端用于注册绑定身份信息；一种薄膜自供电感知设备用于检测车辆上的身份信息，并通过远端服务器传送给APP客户端，并向其发布指令操作，APP客户端在收到指令操作后，用于根据实际情况操作并反馈需要至远端服务器；超声测距辅助设备用来辅助停车，并用来定向监控车辆位置；监控设备将用户需求通过远端服务器反馈至APP客户端；区域交互总机用于接收薄膜自供电感知设备发射的“满”或“空”信息，同时更新对应信息至远端服务器。本发明忽略排队购票过程，实现了检测设备自供电，具有低成本，使用便捷，节约土地资源以及绿色节能环保等优点。
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公开(公告)号：CN106411403B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610542520.4
申请日：2016-07-11
Applicant: 东南大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/564 , H04L27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于削波搬移的超宽调亮可见光传输方法，其特征在于：通过将原本的未加直流偏置的DCO‑OFDM时域符号先乘以一个控制因子，然后加一个长度为N的OFDM子帧，承载加过直流偏置后会超过LED线性范围的那部分信息的负值；使得系统达到与直流偏置值无关的稳定状态，从而通过调节直流偏置值和控制因子来调节光强，所能达到的调亮范围由控制因子决定。本发明所采用的系统性能将达到不受直流偏置值大小影响的稳定状态，从而可以简单的通过调节直流偏置值和控制因子来调节光强，在达到超宽调光范围的同时仍能保持较高的传输速率。
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公开(公告)号：CN111334850B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010217437.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种改善大块六方相氮化硼单晶质量的方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法步骤如下：将六方氮化硼粉末或硼粉放入六方氮化硼坩埚中，然后将镍铬合金放至六方氮化硼粉末或者硼粉上方，掺入金单质，最后将六方氮化硼坩埚放入CVD管式炉加热温区；关闭CVD炉管两端进出气口法兰阀门，用真空泵将CVD炉管抽至真空，抽完关闭真空泵，通氮气流至常压，除尽炉管中空气，最后通入氮气流保护；高温加热样品至熔融并保持一段时间，然后缓慢降温，结束加热，自然冷却，取出样品。本发明所述方法步骤简单，效果显著，可以大幅改善毫米级别的大块氮化硼单晶的质量，能够显著降低单晶中沟槽的产生，大大改善所生长单晶的质量。
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公开(公告)号：CN111334850A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010217437.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种改善大块六方相氮化硼单晶质量的方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法步骤如下：将六方氮化硼粉末或硼粉放入六方氮化硼坩埚中，然后将镍铬合金放至六方氮化硼粉末或者硼粉上方，掺入金单质，最后将六方氮化硼坩埚放入CVD管式炉加热温区；关闭CVD炉管两端进出气口法兰阀门，用真空泵将CVD炉管抽至真空，抽完关闭真空泵，通氮气流至常压，除尽炉管中空气，最后通入氮气流保护；高温加热样品至熔融并保持一段时间，然后缓慢降温，结束加热，自然冷却，取出样品。本发明所述方法步骤简单，效果显著，可以大幅改善毫米级别的大块氮化硼单晶的质量，能够显著降低单晶中沟槽的产生，大大改善所生长单晶的质量。
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公开(公告)号：CN106411403A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610542520.4
申请日：2016-07-11
Applicant: 东南大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/564 , H04L27/26
CPC classification number: H04B10/116 , H04B10/502 , H04B10/5165 , H04B10/564 , H04L27/2626
Abstract: 本发明公开了一种基于削波搬移的超宽调亮可见光传输方法，其特征在于：通过将原本的未加直流偏置的DCO-OFDM时域符号先乘以一个控制因子，然后加一个长度为N的OFDM子帧，承载加过直流偏置后会超过LED线性范围的那部分信息的负值；使得系统达到与直流偏置值无关的稳定状态，从而通过调节直流偏置值和控制因子来调节光强，所能达到的调亮范围由控制因子决定。本发明所采用的系统性能将达到不受直流偏置值大小影响的稳定状态，从而可以简单的通过调节直流偏置值和控制因子来调节光强，在达到超宽调光范围的同时仍能保持较高的传输速率。
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