公开(公告)号：CN201904341U

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201020673904.8

申请日：2010-12-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 时龙兴 ,  华国环 ,  朱奎英 ,  李明 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由P型外延层和镶嵌在其中的N型半导体区构成，在N型体区上设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有P型漏区，超结结构上方且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方，P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线，且超结结构中的N型半导体区的深度沿从P型源区到P型漏区的方向上线性变小。

公开(公告)号：CN201766079U

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201020224318.5

申请日：2010-06-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  华国环 ,  孙伟锋 ,  潘晓芳 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06

Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括P型碳化硅衬底，在P型碳化硅衬底上设P型外延层，在P型外延层内设源和N型漂移区，在N型漂移区内设漏和P型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设有栅氧化层且与源的金属引线邻接，在P型保护环的表面、漏的金属引线以外的表面、N型漂移区的漏和P型保护环以外的表面以及P型外延层的源的金属引线和栅氧化层以外的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设有金属场极板，在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设有N型浮置埋层，N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。