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公开(公告)号：CN101377991B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810200963.0
申请日：2008-10-09
Applicant: 东华大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及提高印刷法制备的碳纳米管薄膜阴极场致电子发射性能的方法，包括：(1)铝衬底和碳纳米管的预处理，(2)碳纳米管浆料配制，(3)碳纳米管浆料的印刷，(4)碳纳米管印刷层的烧结处理，(5)碳纳米管薄膜的后期处理。该方法使纳米管与衬底间形成了良好的机械接触，进而改善了印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能；同时该方法使衬底上的无序碳纳米管形成垂直表面的碳纳米管阵列，形成更好的碳纳米管发射点，从而明显改善了纳米管薄膜的场致发射的稳定性、均匀性，降低了碳纳米管场致发射的开启电场，提高了发射电流密度。
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公开(公告)号：CN103066154B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210592304.2
申请日：2012-12-31
Applicant: 东华大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn结纳米棒阵列的制备方法，包括：（1）将玻璃衬底浸入Zn(CH3COO)2·2H2O的乙醇溶液，得ZnO种子层的基底；（2）将Zn(NO3)2·6H2O的溶液和六次甲基四胺HMTA的溶液，转入放有种子层基底的反应釜中，反应，得ZnO纳米棒阵列；（3）将上述纳米棒阵列浸入到硝酸镉的乙醇溶液，冲洗，再浸入硫化钠的甲醇溶液，得到ZnO/CdS芯/鞘纳米棒阵列；（4）将上述所得物质浸入Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O以及硫脲的无水二甲亚砜溶液，即得。本发明制备工艺简单，常压下采用易于大规模生产的溶液法，重复性好。
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公开(公告)号：CN103073052B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210553296.0
申请日：2012-12-19
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种锗酸锌纵向孪晶纳米线的制备方法，包括：（1）将ZnSe和Ge混合后置于管式炉的刚玉舟上，以p型单晶硅基片为衬底，放入ZnSe和Ge混合物下风方向的刚玉舟中（2）抽真空至反应炉内气压为80~90Pa，然后通入氩气，稳定后，反应炉内气压稳定在200~300Pa；（3）控制反应管中央温度为1200~1250°C，保温，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性较好，可以较为可控地制备出纵向锗酸锌孪晶纳米线；为其它纵向孪晶纳米线的制备提供了一个参考方法；为纵向孪晶纳米线的研究提供了一定的物质基础。
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公开(公告)号：CN103073052A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210553296.0
申请日：2012-12-19
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种锗酸锌纵向孪晶纳米线的制备方法，包括：（1）将ZnSe和Ge混合后置于管式炉的刚玉舟上，以p型单晶硅基片为衬底，放入ZnSe和Ge混合物下风方向的刚玉舟中（2）抽真空至反应炉内气压为80~90Pa，然后通入氩气，稳定后，反应炉内气压稳定在200~300Pa；（3）控制反应管中央温度为1200~1250°C，保温，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性较好，可以较为可控地制备出纵向锗酸锌孪晶纳米线；为其它纵向孪晶纳米线的制备提供了一个参考方法；为纵向孪晶纳米线的研究提供了一定的物质基础。
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公开(公告)号：CN103066154A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210592304.2
申请日：2012-12-31
Applicant: 东华大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn结纳米棒阵列的制备方法，包括：（1）将玻璃衬底浸入Zn(CH3COO)2·2H2O的乙醇溶液，得ZnO种子层的基底；（2）将Zn(NO3)2·6H2O的溶液和六次甲基四胺HMTA的溶液，转入放有种子层基底的反应釜中，反应，得ZnO纳米棒阵列；（3）将上述纳米棒阵列浸入到硝酸镉的乙醇溶液，冲洗，再浸入硫化钠的甲醇溶液，得到ZnO/CdS芯/鞘纳米棒阵列；（4）将上述所得物质浸入Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O以及硫脲的无水二甲亚砜溶液，即得。本发明制备工艺简单，常压下采用易于大规模生产的溶液法，重复性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101476152B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810207240.3
申请日：2008-12-18
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法，包括：将ZnSe和Ge粉末作为原材料放置在石英管中间位置，用硅片为衬底，放入混合粉末下风方向的石英舟中，石英管一端接供气系统，另一端接机械真空泵，通入流量为100～200sccm的氩气，控制石英反应管中间位置温度为1000℃～1100℃，沉积压力为200Torr(1Torr≈133Pa)，沉积反应2h后，关闭加热电源，自动冷却至室温，即得ZnSe/Ge异质结纳米线。本发明制备的单晶ZnSe/Ge异质结纳米线具有直径均匀，表面光滑，结晶度好，有高质量的异质界面的优点，该制备工艺简单，采用一步热蒸发即可完成。
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公开(公告)号：CN101979723A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010555495.6
申请日：2010-11-23
Applicant: 东华大学
IPC: C30B29/50 , C30B29/62 , C30B23/00 , H01L31/0296
Abstract: 本发明涉及一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～300Torr，同时通入流量为50～100sccm的氩气；(3)控制反应管中央温度为800～900℃，保温2～4h后，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性好，克服了p型CdS纳米线制备的困难且稳定性好；所得产物有望大大推进基于CdS纳米线光电器件的发展，特别是有望解决宽带隙II-VI半导体材料p型掺杂的技术难题。
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公开(公告)号：CN101476152A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810207240.3
申请日：2008-12-18
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法，包括：将ZnSe和Ge粉末作为原材料放置在石英管中间位置，用硅片为衬底，放入混合粉末下风方向的石英舟中，石英管一端接供气系统，另一端接机械真空泵，通入流量为100－200sccm的氩气，控制石英反应管中间位置温度为1000℃～1100℃，沉积压力为200Torr(1Torr≈133Pa)，沉积反应2h后，关闭加热电源，自动冷却至室温，即得ZnSe/Ge异质结纳米线。本发明制备的单晶ZnSe/Ge异质结纳米线具有直径均匀，表面光滑，结晶度好，有高质量的异质界面，该制备工艺简单，采用一步热蒸发即可完成。
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公开(公告)号：CN113488343B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110434345.8
申请日：2021-04-22
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明属于电极材料制备技术领域，公开了一种基于MOFs多孔碳的多组分柔性电极、制备方法及应用，利用溶剂热法在柔性导电碳材料表面合成MOFs；对基于柔性导电碳材料的MOFs进行双掺杂；基于双掺杂MOFs构筑吸附‑插层‑转化协同机制的基于MOFs多孔碳的多组分柔性电极。本发明中电极充分利用材料之间的协同作用，克服单一阳极材料的局限，减弱钠离子的电化学动力学迟滞；在柔性碳材料导电基底表面制备双掺杂的MOFs衍生物柔性电极，获得了一种比表面积大，网络电导率和载流子迁移率高、结构稳定性好等优点的柔性阳极材料基底；提升了SICs能量密度、功率密度、倍率特性和循环稳定性的深层次机制。
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公开(公告)号：CN108493286B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810263814.2
申请日：2018-03-28
Applicant: 东华大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种大面积PbI2薄片的合成及其柔性光电探测器的构建。所述的大面积PbI2薄片的合成方法，其特征在于，包括将氯化铅、碘和硫脲加入到反应釜中，反应釜内装入水至总体积的80％‑90％，进行搅拌、超声后，放入烘箱在120‑150℃下保持8‑12小时，然后自然冷却至室温；将产物过滤并洗涤，干燥后，获得PbI2薄片。本发明溶液合成方法简单，产物尺寸大、产量高，器件构建工艺简单，易于规模生产，重复性好。
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