公开(公告)号：CN101979723A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN201010555495.6

申请日：2010-11-23

Applicant: 东华大学

Inventor： 王春瑞 ,  蔡俊晟 ,  徐靖 ,  王洪云 ,  叶茂林

IPC: C30B29/50 ,  C30B29/62 ,  C30B23/00 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明涉及一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～300Torr，同时通入流量为50～100sccm的氩气；(3)控制反应管中央温度为800～900℃，保温2～4h后，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性好，克服了p型CdS纳米线制备的困难且稳定性好；所得产物有望大大推进基于CdS纳米线光电器件的发展，特别是有望解决宽带隙II-VI半导体材料p型掺杂的技术难题。

公开(公告)号：CN101979723B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010555495.6

申请日：2010-11-23

Applicant: 东华大学

Inventor： 王春瑞 ,  蔡俊晟 ,  徐靖 ,  王洪云 ,  叶茂林

IPC: C30B29/50 ,  C30B29/62 ,  C30B23/00 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明涉及一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的:三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～300Torr，同时通入流量为50～100sccm的氩气；(3)控制反应管中央温度为800～900℃，保温2～4h后，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性好，克服了p型CdS纳米线制备的困难且稳定性好；所得产物有望大大推进基于CdS纳米线光电器件的发展，特别是有望解决宽带隙II-VI半导体材料p型掺杂的技术难题。