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公开(公告)号：CN101476152B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810207240.3
申请日：2008-12-18
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法，包括：将ZnSe和Ge粉末作为原材料放置在石英管中间位置，用硅片为衬底，放入混合粉末下风方向的石英舟中，石英管一端接供气系统，另一端接机械真空泵，通入流量为100～200sccm的氩气，控制石英反应管中间位置温度为1000℃～1100℃，沉积压力为200Torr(1Torr≈133Pa)，沉积反应2h后，关闭加热电源，自动冷却至室温，即得ZnSe/Ge异质结纳米线。本发明制备的单晶ZnSe/Ge异质结纳米线具有直径均匀，表面光滑，结晶度好，有高质量的异质界面的优点，该制备工艺简单，采用一步热蒸发即可完成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101476152A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810207240.3
申请日：2008-12-18
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法，包括：将ZnSe和Ge粉末作为原材料放置在石英管中间位置，用硅片为衬底，放入混合粉末下风方向的石英舟中，石英管一端接供气系统，另一端接机械真空泵，通入流量为100－200sccm的氩气，控制石英反应管中间位置温度为1000℃～1100℃，沉积压力为200Torr(1Torr≈133Pa)，沉积反应2h后，关闭加热电源，自动冷却至室温，即得ZnSe/Ge异质结纳米线。本发明制备的单晶ZnSe/Ge异质结纳米线具有直径均匀，表面光滑，结晶度好，有高质量的异质界面，该制备工艺简单，采用一步热蒸发即可完成。
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公开(公告)号：CN101559920A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910051667.3
申请日：2009-05-21
Applicant: 东华大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，包括：(1)以真空气氛管式电炉为合成环境，将ZnSe粉末与Ge粉末按照质量比为3～2∶2～1混合置于中央三氧化二铝舟上，同时以p型硅基片为衬底；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～250Torr，同时持续通入氩气；(3)控制反应管温度为1100～1200℃，保温1.5～3h后，冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步热蒸发即可完成，且可重复性好；所制备的ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，其中心骨架由ZnSe和GeSe纳米线并轴形成的异质结构成，在纳米器件组装、传感器制造等诸多领域中有潜在应用。
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公开(公告)号：CN101439875A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810207244.1
申请日：2008-12-18
Applicant: 东华大学
IPC: C01G30/00
Abstract: 本发明涉及一种水热法制备α－Sb2O4纳米棒的方法，包括：(1)称取0.004mol的SbCl3和0.015mol－0.2mol的I2依次放入50ml的高压釜中，缓慢倒入30－40ml的去离子水，均匀搅拌3－10分钟；(2)密封高压釜，拧紧置于恒温炉中，180－200℃温度下加热18－22个小时后，从恒温炉中取出，冷却至室温；(3)冷却至室温后，打开高压釜，取出沉淀物，用去离子水冲洗沉淀物3－5次，然后用真空过滤器过滤沉淀物，把沉淀物放在真空干燥箱中80－100℃下干燥4－5小时，得到乳黄色沉淀。该方法所用原料价廉易得，制备产品纯度高，产量高，且对环境没有污染。
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公开(公告)号：CN115814149A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211725771.8
申请日：2022-12-30
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明公开了一种改性羧甲基壳聚糖止血材料及其制备方法，其制备步骤包括：首先对壳聚糖纤维进行羧甲基化改性，得到羧甲基壳聚糖纤维，然后通过引入高岭土和Ca2+以及两者复合对羧甲基化壳聚糖纤维进行改性，制备了高岭土和或Ca2+改性羧甲基壳聚糖止血材料，研究结果表明经高岭土和或Ca2+改性后得到的改性羧甲基壳聚糖止血材料具有优异的吸液能力、快速止血性能和生物相容性，且无细胞毒性，另本发明制备方法所用原材料成本低廉、来源广泛，工艺简单，适于推广。
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公开(公告)号：CN101559920B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910051667.3
申请日：2009-05-21
Applicant: 东华大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，包括：(1)以真空气氛管式电炉为合成环境，将ZnSe粉末与Ge粉末按照质量比为3～2∶2～1混合置于中央三氧化二铝舟上，同时以p型硅基片为衬底；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～250Torr，同时持续通入氩气；(3)控制反应管温度为1100～1200℃，保温1.5～3h后，冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步热蒸发即可完成，且可重复性好；所制备的ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，其中心骨架由ZnSe和GeSe纳米线并轴形成的异质结构成，在纳米器件组装、传感器制造等诸多领域中有潜在应用。
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