一种全固态电致变色器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110109311B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201910315706.X

    申请日:2019-04-19

    Abstract: 一种全固态电致变色器件及其制备方法,包括衬底A和衬底B,所述衬底A内侧依次设有透明导电层A和阳极电致变色层;所述衬底B内侧依次设有透明导电层B和阴极电致变色层;所述阳极电致变色层与阴极电致变色层之间设有固体电解质层。制备方法包括如下步骤:(1)衬底A和衬底B的处理;(2)阳极电致变色层的制备;(3)阴极电致变色层的制备;(4)固体电解质层的制备;(5)全固态电致变色器件的制备。本发明的有益效果是:方法简便、离子导电率高、抗老化性能好,采用互补型电致变色薄膜,在保证变色要求的前提下,实现低电压下电致变色器件快速互补变色,提高玻璃使用的安全性,驱动电压低,具有巨大的应用前景。

    一种制备钛酸锂电致变色薄膜的方法

    公开(公告)号:CN110627372A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201910937919.6

    申请日:2019-09-30

    Abstract: 本发明的一种制备钛酸锂电致变色薄膜的方法,步骤如下:取锂盐溶液和有机钛盐溶液,将二者溶质按物质的量比,锂盐:有机钛盐=(1-1.5):1混合均匀,获得A溶液;按溶质物质的量比,草酸:(锂盐+有机钛盐)=(1-1.5):1,将草酸溶液加入A溶液中,混合均匀形成钛酸锂溶胶前驱体;取含有透明导电层的衬底,将钛酸锂溶胶前驱体涂膜于衬底的透明导电层表面,干燥,制得钛酸锂溶胶前驱体薄膜;将钛酸锂溶胶前驱体薄膜进行煅烧,煅烧温度为350-700□,保温时间为1h-6h,降温制得钛酸锂电致变色薄膜。该方法操作简单,制备的电致变色薄膜与传统变色层材料相比,应用钛酸锂材料使得变色层材料的循环性能和使用寿命等性能均得到大幅提高。

    一种铁酸铋粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN108793260A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810871431.3

    申请日:2018-08-02

    CPC classification number: C01G49/00 C01P2002/72 C01P2004/04 C01P2006/42

    Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋粉体及其制备方法,是由BiFeO3的结晶颗粒嵌入非晶结构的BiFeO3形成,所述BiFeO3的结晶颗粒直径为5~20nm,制备时以Bi(NO3)3或其水合物和Fe(NO3)3或其水合物为原料,控制反应条件和溶液浓度,以水热法制备BiFeO3粉体,实现了结晶颗粒嵌入非晶结构BiFeO3粉体的合成,并且具有无环境污染、操作方便、设备简单、成本低廉、实用性强和便于推广应用的特点,本发明的BiFeO3粉体铁磁性能良好,在传感器、自旋电子器件和多功能存储领域具有十分广泛的应用前景。

    一种全固态电致变色器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110109311A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910315706.X

    申请日:2019-04-19

    Abstract: 一种全固态电致变色器件及其制备方法,包括衬底A和衬底B,所述衬底A内侧依次设有透明导电层A和阳极电致变色层;所述衬底B内侧依次设有透明导电层B和阴极电致变色层;所述阳极电致变色层与阴极电致变色层之间设有固体电解质层。制备方法包括如下步骤:(1)衬底A和衬底B的处理;(2)阳极电致变色层的制备;(3)阴极电致变色层的制备;(4)固体电解质层的制备;(5)全固态电致变色器件的制备。本发明的有益效果是:方法简便、离子导电率高、抗老化性能好,采用互补型电致变色薄膜,在保证变色要求的前提下,实现低电压下电致变色器件快速互补变色,提高玻璃使用的安全性,驱动电压低,具有巨大的应用前景。

    单相尖晶石型高熵氧化物及制备方法及应用

    公开(公告)号:CN112340787A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011238470.3

    申请日:2020-11-09

    Abstract: 本发明属于高熵氧化物材料技术领域,具体涉及几种单相尖晶石型高熵氧化物及制备方法及应用。本发明的在目前已有的尖晶石型(CoCrFeMnNi)3O4高熵氧化物材料的基础上进行扩展,制备新体系的单相尖晶石型高熵氧化物,扩展尖晶石型高熵氧化物成分范围,并且发现并提出了制备出的新体系单相尖晶石型高熵氧化物在电致变色领域的应用,进一步扩展其应用领域。本发明扩展了尖晶石型高熵氧化物成分范围;采用溶胶‑凝胶燃烧法制备的单相尖晶石型高熵氧化物粉体材料纯度高、粒度细小且各元素分布均匀;采用旋涂法,工艺简单,制备的单相尖晶石型高熵氧化物薄膜材料均匀性良好,同时提出了这些单相尖晶石型高熵氧化物作为电致变色材料的应用,进一步扩展了其应用领域。

    一种贫铜富硒能带可控的铜铟镓硒薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN117936646A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410109961.X

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本发明涉及一种贫铜富硒能带可控的铜铟镓硒薄膜及其制备方法,属于CIGS薄膜太阳能电池材料的制备技术领域。本发明采用了单靶溅射法,使用了高效安全的固态硒源硒化装置,所选靶材为1号靶材和2号靶材,通过磁控溅射方法,采用CuInGaSe四元靶材探究以得出较好的工艺参数范围和最佳工艺参数,结合少量硒粉硒化工艺实现薄膜厚度方向Cu、Se元素的梯度分布进而构筑出特定微型能带结构,并且使用了变靶材成分和变溅射功率两种方式来实现CIGS吸收层能带调控。所制得的CIGS薄膜晶粒尺寸大,表面平整致密,呈富铜贫硒的元素比例状态;方块电阻小,载流子迁移率大,载流子浓度大,吸光性好,光电性能优良。

    一种ATO包覆铯钨青铜复合纳米粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN113249091A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110545978.6

    申请日:2021-05-19

    Abstract: 本发明的一种ATO包覆铯钨青铜复合纳米粉体及其制备方法,其中包覆层为掺锑二氧化锡ATO,复合纳米粉体的颗粒包括铯钨青铜内核和包覆所述铯钨青铜的掺锑二氧化锡ATO外壳,所述铯钨青铜内核的通式为CsxWO3,其中0.1≤x≤0.33。制备过程中通过在铯钨青铜表面包覆化学性质稳定的ATO,隔绝铯钨青铜内核与外界的水或氧气接触,提高了铯钨青铜的化学稳定性,并保持较好分散性,同时将ATO和铯钨青铜纳米粉CsxWO3的近红外吸收性能进行综合,在不影响铯钨青铜内核可见光高透过率及红外光高阻隔率性能基础上实现进一步提升,大幅优于现有红外阻隔涂料。

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