公开(公告)号：CN110218972A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910560070.5

申请日：2019-06-26

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 郑荣戌 ,  刘红岩 ,  王晓强 ,  李明亚 ,  余述劲 ,  夏侯博文 ,  陈坤 ,  陈怡

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 一种磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法，包括如下步骤：(1)将基片进行表面处理；所述的基片材质为电子玻璃或柔性衬底材料，所述的柔性衬底材料选用聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)或聚酰亚胺(PI)；(2)安装靶材，基片装入真空室；(3)抽真空后通入氩气，控制通入氩气的流量；对靶材进行预溅射清洗；(4)室温条件下，调节溅射电压和电流，开始磁控溅射，在基片上制成具有择优取向AZO光电薄膜。本发明的方法在保证性能的基础上，整个制备过程无需加热和后期热处理，简化制备工艺，降低能耗。