公开(公告)号：CN1605116A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN02805735.X

申请日：2002-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井胜利 ,  高桥丰 ,  长谷川阳成

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C8/16 ,  C30B33/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  Y10S438/909

Abstract: 半导体处理用的热处理装置的供给系统具有燃烧器(12)、加热器(13)和气体分配部(14)。燃烧器(12)具有配置在处理室(21)外面的燃烧室(59)。燃烧器(12)使氢气和氧气在燃烧室(59)内反应，生成水蒸气，供给处理室(21)。加热器(13)具有配置在处理室(21)外面的加热室(61)。加热器(13)有选择地将不通过燃烧室(59)的气体，在加热室(61)内加热至活性化温度以上，供给处理室(21)。气体分配部(14)有选择地将氢气和氧气供给燃烧室(59)，同时，有选择地将反应性气体和不活性气体供给加热室(61)。