-
公开(公告)号：CN101689500B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200880022669.3
申请日：2008-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高木俊夫
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/02186 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141
Abstract: 一种成膜装置，边加热载置台的载置面，边在真空气氛下从与上述载置台相对的处理气体供给部向基板供给处理气体，从而进行成膜处理，其特征在于，具有：用于使上述载置台升降到对基板进行成膜处理的处理位置的升降机构；隔着间隙包围处于上述处理位置时的上述载置台、且与该载置台一起将上述真空容器内划分成在该载置台上方的上部空间和在该载置台下方的下部空间的包围部分；与上述上部空间连通、将上述上部空间内的处理气氛进行真空排气的真空排气路；将从上述上部空间到上述真空排气路为止的与气体接触的部位加热到比反应物发生附着的温度高的温度的加热构件；以及在上述加热构件与包围上述下部空间的上述真空容器的下侧部分之间设置的隔热部。
-
公开(公告)号：CN115725956B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211005532.5
申请日：2022-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种对基板进行成膜的装置和对基板进行成膜的方法。配置到用于在真空气氛下向基板的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器内的升降轴以从下表面支承着基板的载置台的状态以在上下方向上延伸的方式设置，穿过在处理容器设置的贯通口而与外部的升降机构连接起来。壳体覆盖升降轴的周围，盖构件以隔着间隙包围升降轴的方式配置。设置有以如下方式进行引导的引导构件：从吹扫气体供给部供给到壳体的吹扫气体在经由间隙向处理容器流入了之后，从朝向载置台的背面的方向逸散而流动。由此，吹扫气体从载置台逸散而流动，因此，载置台的温度在面内一致，改善成膜处理的面内均匀性。
-
公开(公告)号：CN101689500A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022669.3
申请日：2008-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高木俊夫
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/02186 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141
Abstract: 一种成膜装置，边加热载置台的载置面，边在真空气氛下从与上述载置台相对的处理气体供给部向基板供给处理气体，从而进行成膜处理，其特征在于，具有：用于使上述载置台升降到对基板进行成膜处理的处理位置的升降机构；隔着间隙包围处于上述处理位置时的上述载置台、且与该载置台一起将上述真空容器内划分成在该载置台上方的上部空间和在该载置台下方的下部空间的包围部分；与上述上部空间连通、将上述上部空间内的处理气氛进行真空排气的真空排气路；将从上述上部空间到上述真空排气路为止的与气体接触的部位加热到比反应物发生附着的温度高的温度的加热构件；以及在上述加热构件与包围上述下部空间的上述真空容器的下侧部分之间设置的隔热部。
-
公开(公告)号：CN101647104A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010113.2
申请日：2008-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高木俊夫
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45521 , C23C16/45574 , C23C16/4586 , H01L21/3141 , H01L21/31641
Abstract: 本发明提供成膜装置、成膜方法和存储介质。该成膜装置包括：处理容器(31)；和配置在处理容器(31)内、用于载置基板W的载置台(71)。该成膜装置还包括：气体喷淋头(51)，其具有多个气体供给孔(61a、62a、63a)，被划分为与该基板(W)的中央部相对的中央区域(53)和与该基板(W)的周边部相对的周边区域(54)；向中央区域(53)供给第一处理气体的第一处理气体供给单元；向中央区域(53)供给第二处理气体的第二处理气体供给单元；能量供给单元，其供给用于使第一处理气体和第二处理气体在基板(W)上反应的能量；和吹扫气体供给单元，其用于在切换第一处理气体的供给和第二处理气体的供给时，向气体喷淋头(51)的中央区域(53)和周边区域(54)供给吹扫气体。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.027 seconds)
