等离子体处理装置和程序
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116631835A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310103983.0

    申请日:2023-02-13

    Inventor: 青木裕介

    Abstract: 本公开提供一种等离子体处理装置和程序。等离子体处理装置具有:静电保持盘,其利用被供给到静电电极的电压来吸附基板;继电器电路,其将针对静电电极的电压的供给接通和切断;等离子体生成部,其生成等离子体;以及控制部,其中,控制部控制以下处理:(a),向静电电极供给电压来使基板吸附于静电保持盘的上表面;(b),通过继电器电路将针对静电电极的电压的供给切断,来使静电电极成为浮置状态;(c),利用等离子体开始对吸附于静电保持盘的基板进行处理;(d),在开始对基板进行处理之后,获取通过继电器电路将针对静电电极的电压的供给接通来向静电电极供给电压时流过供电线的电流;以及(e),基于电流来判定基板的吸附状态。

    等离子体处理装置及等离子体处理方法

    公开(公告)号:CN111477531A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010041705.3

    申请日:2020-01-15

    Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、上部电极、高频电源及直流电源装置。基板支撑器包含下部电极。下部电极设置于腔室内。上部电极设置于基板支撑器的上方。高频电源在腔室内生成等离子体。直流电源装置与上部电极电连接。直流电源装置构成为周期性产生脉冲状的负极性的直流电压。直流电源装置的输出电压可在负极性的直流电压与零伏之间交替切换。

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