公开(公告)号：CN118103970A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068400.9

申请日：2022-10-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 针生大辉 ,  石川真矢 ,  远藤悠 ,  青山美幸

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供能够缓和密封部件的填充率的等离子体处理装置和基片支承器。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基座支承部，其配置于上述等离子体处理腔室内；基座，其形成有从上表面贯通至下表面的第一贯通孔，配置于上述基座支承部的上部；静电吸盘，其形成有从基片支承面或环支承面贯通至下表面且与上述第一贯通孔连通的第二贯通孔，配置于上述基座的上部；筒状的第一绝缘部件，其配置于上述第一贯通孔内；筒状的第二绝缘部件，其以将上述第一绝缘部件的至少一部分的周围包围的方式配置于上述第一贯通孔内；第一密封部件，其配置于上述第一绝缘部件与上述静电吸盘之间；和第二密封部件，其配置于上述第一绝缘部件与配置在上述基座支承部内的绝缘性的支承部件之间。

公开(公告)号：CN115831699A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211098957.5

申请日：2022-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川真矢 ,  针生大辉

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，在等离子体处理时恰当地抑制基片支承部内部发生异常放电。其包括等离子体处理腔室、基片支承部和生成偏置信号的偏置生成部，基片支承部包括：基座；具有第一和第二纵孔的陶瓷部件；环状部件；配置在基片支承面的下方的静电电极层；配置在静电电极层的下方的第一和第二中央偏置电极层；第一纵向连接件，其以在俯视时包围第一纵孔的方式在第一纵孔的附近纵向延伸，将第一中央偏置电极层与第二中央偏置电极层电连接；和第二纵向连接件，其以在俯视时包围第二纵孔的方式在第二纵孔的附近纵向延伸，将第一环状偏置电极层与第二环状偏置电极层电连接，并且，偏置生成部与第二环状偏置电极层电连接。