公开(公告)号：CN1211666C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN99800246.1

申请日：1999-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本俊行 ,  广田良浩 ,  原田宗生

IPC: G01R27/26

CPC classification number: G01R27/2605

Abstract: 提供一种阻抗-电压转换器和转换方法，利用运算放大器工作于虚拟短路状态，将阻抗转换为电压，而不受寄生电容的影响。该阻抗-电压转换器由运算放大器、交流信号发生器和两条屏蔽线组成，其中，运算放大器当其输出端和反相输入端之间连接阻抗元件时，反相输入端和非反相输入端之间处于虚拟短路状态，一屏蔽线用于屏蔽用来连接阻抗元件和反相输入的连接线，交流信号发生器连接于非反相输入端，另一屏蔽线用于屏蔽信号线。两条屏蔽线都与非反相输入端连接。

公开(公告)号：CN109698124A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811236232.1

申请日：2018-10-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  新纳礼二 ,  藤川诚 ,  广田良浩 ,  杨荣 ,  山本知成

IPC: H01L21/308

Abstract: [课题]提供能抑制蚀刻剂经由形成于半导体制造装置的开口进入所伴随的损伤的产生、并且能将牺牲膜去除的半导体装置的制造方法。[解决方案]在制造半导体装置的方法中，对形成有凹部(29)的基板形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜(6)，在凹部(29)内埋入聚合物；所述凹部(29)包含进行了图案化的牺牲膜(23)的开口。接着，保留埋入的聚合物(6a)而去除聚合物膜(6)后，在凹部(29)内埋入有聚合物(6a)的状态下去除牺牲膜(23)，然后去除凹部(29)内的聚合物。

公开(公告)号：CN101641783A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880009852.X

申请日：2008-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人广岛大学

Inventor： 宫崎诚一 ,  鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  广田良浩

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供氮化硅膜和非易失性半导体存储器件，其中氮化硅膜作为半导体存储器件的电荷蓄积层有用并且具有优良的电荷蓄积能力。具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度的氮化硅膜具有高电荷蓄积能力。该氮化硅膜通过等离子体CVD成膜，该等离子体CVD使用通过具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波的等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入包含含氮化合物和含硅化合物的原料气体，由微波产生等离子体，通过该等离子体使氮化硅膜淀积在被处理体的表面。

公开(公告)号：CN1971784A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610109924.0

申请日：2006-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  奥克泰克有限公司 ,  揖斐电株式会社

Inventor： 山西良树 ,  原田宗生 ,  北野高弘 ,  川口达三 ,  广田良浩 ,  松田健志 ,  山田欣司 ,  篠田智隆 ,  王道海 ,  奥村胜弥

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00 ,  H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C01G23/00

Abstract: 本发明提供一种具有可以较短的烧固时间形成且质量较高的电介体层的电容器及其制造方法。通过气体供给源(112)等将处理装置(100)内的气氛调节为例如氧气氛等。使热处理装置(101)内的气氛为氧气氛，并使温度上升至预定程度。然后，以不会在晶片(W)中产生不良的速度将形成有电介体前体层的晶舟(161)装入热处理装置内。装入后，使热处理装置的反应管内部上升至烧固温度并烧固预定的时间。在热处理装置内冷却至预定程度后，在处理装置内冷却至室温左右，然后将其搬出到处理装置外部。在烧固形成于晶片上的电介体前体层之前，在高于电介体前体层的溶剂的挥发温度、并低于电介体前体的结晶化开始温度的温度下保持预定的时间，从而使残留溶剂蒸发。

公开(公告)号：CN1921112A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610111369.5

申请日：2006-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  揖斐电株式会社 ,  奥克泰克有限公司

Inventor： 篠田智隆 ,  山田欣司 ,  北野高广 ,  山西良树 ,  原田宗生 ,  川口达三 ,  广田良浩 ,  奥村胜弥 ,  河野秀一

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/102 ,  H01L27/108 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316

Abstract: 一种电介质膜电容器，包含具有开口部的、含有包含白金的材料的下部电极和在所述下部电极的上方设置的、包含具有ABOx型钙钛矿结构的氧化物的电介质膜以及在所述电介质膜的上方设置的上部电极。相对于所述电介质膜的形成区域的面积，所述下部电极的平面面积的比例为50％或更大。一种电介质膜电容器，包含含有包含白金的材料的、膜厚10～100nm的下部电极和在所述下部电极的上方设置的、包含具有ABOx型结晶结构的氧化物的电介质膜以及在所述电介质膜的上方设置的上部电极。

公开(公告)号：CN1250976C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN01800430.X

申请日：2001-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  北斗电子工业株式会社

Inventor： 八壁正巳 ,  松本俊行 ,  广田良浩 ,  中野浩一

IPC: G01R27/02 ,  G01R27/26 ,  G01D5/24

CPC classification number: G01R27/02

Abstract: 核心部分1的第二运算放大器11使反相输入端和输出端子短路。信号线19连接到同相输入端。电容传感器18连接到信号线19。使第一运算放大器12的同相输入端接地。第一电阻15和第二电阻16的一端分别连接到反相输入端。第一电阻15的另一端连接到交流电压发生器14。第二电阻16的另一端连接到第一运算放大器11的输出端。核心部分1的信号输出端21连接到反相放大装置2。核心部分1的交流输出端22和反相放大装置部2的反相输出端42连接到加法装置3。运算放大器36、40的同相输入端接地。