公开(公告)号：CN118056262A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202280066871.6

申请日：2022-10-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 今井清隆 ,  佐藤基之 ,  广田良浩 ,  樋口卓也

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：在具有比第二弹性模量高的第一弹性模量的第一基板之上形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成具有第一接合表面的所述第一半导体元件，在具有所述第二弹性模量的第二基板之上形成具有第二接合表面的所述第二半导体元件，使所述第一接合表面与所述第二接合表面贴合而形成层叠所述第一半导体元件与所述第二半导体元件的层叠体，以及从所述层叠体除去所述第一基板。

公开(公告)号：CN117836903A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280057262.4

申请日：2022-08-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大池昇 ,  今井清隆 ,  广田良浩 ,  佐藤基之

IPC: H01L21/02

Abstract: 激光剥离用的层叠基板依次具备使激光光线透过的第一基板、吸收所述激光光线的第一绝缘层、使所述激光光线透过的第一多晶硅层、吸收所述激光光线的第二绝缘层、使所述激光光线透过的第二多晶硅层、以及第一器件层。所述层叠基板还具备贯通所述第一绝缘层来将所述第一基板与所述第一多晶硅层电连接的第一电极、以及贯通所述第二绝缘层来将所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层电连接的第二电极。所述第一电极与所述第二电极包含使所述激光光线透过的材料，所述第一电极与所述第二电极在俯视时不重叠，是相分离的。

公开(公告)号：CN101107698A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580045165.X

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盖尔·格伦 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  中村源志 ,  栉引理人 ,  新藤尚树 ,  清水昭贵 ,  芦垣繁雄 ,  加藤良裕

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。

公开(公告)号：CN1926663A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200580006516.6

申请日：2005-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 芦垣繁雄 ,  加藤良裕 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  川崎哲 ,  志村悟

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/42 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供基板的加工方法，包括：在已经在基板上形成的待蚀刻的目标膜上依次形成Si－C基膜和抗蚀膜的步骤；利用抗蚀膜作为掩模蚀刻Si－C基膜的第一蚀刻步骤；和利用抗蚀膜和Si－C基膜作为掩模蚀刻待蚀刻的目标膜的第二蚀刻步骤。该加工方法进一步包括在所需时机剥离抗蚀膜的剥离步骤。剥离步骤包括制备作为脱模剂的有机溶剂的制备步骤，和在抗蚀膜上涂敷有机溶剂的涂敷步骤。

公开(公告)号：CN109698124B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201811236232.1

申请日：2018-10-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  新纳礼二 ,  藤川诚 ,  广田良浩 ,  杨荣 ,  山本知成

IPC: H01L21/308

Abstract: [课题]提供能抑制蚀刻剂经由形成于半导体制造装置的开口进入所伴随的损伤的产生、并且能将牺牲膜去除的半导体装置的制造方法。[解决方案]在制造半导体装置的方法中，对形成有凹部(29)的基板形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜(6)，在凹部(29)内埋入聚合物；所述凹部(29)包含进行了图案化的牺牲膜(23)的开口。接着，保留埋入的聚合物(6a)而去除聚合物膜(6)后，在凹部(29)内埋入有聚合物(6a)的状态下去除牺牲膜(23)，然后去除凹部(29)内的聚合物。

公开(公告)号：CN100472730C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200580045165.X

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盖尔·格伦 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  中村源志 ,  栉引理人 ,  新藤尚树 ,  清水昭贵 ,  芦垣繁雄 ,  加藤良裕

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述积层体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。

公开(公告)号：CN101641783B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880009852.X

申请日：2008-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人广岛大学

Inventor： 宫崎诚一 ,  鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  广田良浩

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供氮化硅膜和非易失性半导体存储器件，其中氮化硅膜作为半导体存储器件的电荷蓄积层有用并且具有优良的电荷蓄积能力。具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度的氮化硅膜具有高电荷蓄积能力。该氮化硅膜通过等离子体CVD成膜，该等离子体CVD使用通过具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波的等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入包含含氮化合物和含硅化合物的原料气体，由微波产生等离子体，通过该等离子体使氮化硅膜淀积在被处理体的表面。

公开(公告)号：CN101652843B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200880010178.7

申请日：2008-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  广田良浩

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明使用等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体，利用微波产生等离子体，通过该等离子体在被处理体表面堆积氮化硅膜。其中，该等离子体处理装置(100)利用具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波。通过调节该等离子体CVD工序的条件，控制氮化硅膜的陷阱密度的大小。

公开(公告)号：CN101652843A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880010178.7

申请日：2008-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  广田良浩

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明使用等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体，利用微波产生等离子体，通过该等离子体在被处理体表面堆积氮化硅膜。其中，该等离子体处理装置(100)利用具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波。通过调节该等离子体CVD工序的条件，控制氮化硅膜的陷阱密度的大小。

公开(公告)号：CN1959964A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610109925.5

申请日：2006-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  奥克泰克有限公司 ,  揖斐电株式会社

Inventor： 山西良树 ,  原田宗生 ,  北野高弘 ,  川口达三 ,  广田良浩 ,  山田欣司 ,  篠田智隆 ,  奥村胜弥 ,  河野秀一

IPC: H01L23/32 ,  H01L23/488 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01L23/481 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/162 ,  H05K3/002 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/10378

Abstract: 本发明提供一种高质量的电容器及其制造方法。电容器(10)包括：形成在氧化膜(12)上的下部电极(13a)；形成在下部电极(13a)上的电介质层(14)；间隔电介质层(14)而与下部电极(13a)相对形成的上部电极(15a)；以及覆盖上部电极(15a)并覆盖上部电极(15a)的开口部(62v)和电介质层(14)的开口部(61v)的上部电极(15b)。通过在电介质层(14)上形成上部电极(15a)，可将该上部电极作为掩模来对电介质层(14)进行图案化，从而抑制杂质向电介质层(14)内扩散，另外，可以通过上部电极(15b)来防止电介质层(14)暴露在蚀刻液、显影液等中的情况，从而能够提供具有高质量的电介质层(14)的电容器(10)。