公开(公告)号：CN103999201A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280060467.4

申请日：2012-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 布濑晓志 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤浩

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0541

Abstract: 有机晶体管的制造方法具备：在基板(1)上层叠形成基底绝缘层(3)的工序；在基底绝缘层(3)上形成源电极(5a)、漏电极(5b)的工序；覆盖源电极(5a)、漏电极(5b)并且与基底绝缘层(3)接触地层叠形成有机半导体层(7)的工序；在有机半导体层(7)上层叠形成栅绝缘层(9)的工序；在栅绝缘层(9)上形成栅电极(11)的工序；以及，在形成有机半导体层(7)之前，对于基底绝缘层(3)的与有机半导体层(7)接触的面进行表面处理的工序。表面处理按照下述方式进行：将使用与有机半导体层(7)相同的材料层叠形成的两层间的附着功设为W1时，在进行过表面处理的基底绝缘层(3)上形成有机半导体层(7)时，基底绝缘层(3)与有机半导体层(7)之间的附着功W2满足W1≥W2的关系。

公开(公告)号：CN101593677B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200910138621.5

申请日：2002-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 布濑晓志 ,  藤本究 ,  山口智代

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiN部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；和向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiN部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH2F2和O2，蚀刻气体还包括Ar，蚀刻气体中Ar的流量/(CH2F2+O2)的流量的比例是比0大而在5以下，被处理体具有在SiN部分上设置的作为绝缘膜的有机Si类低介电常数膜，将该有机Si类低介电常数膜作为掩膜来蚀刻被处理体的SiN部分。