公开(公告)号：CN105304484B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510303252.6

申请日：2015-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥阳 ,  中山溪 ,  五十岚义树 ,  广津信

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明提供一种对绝缘膜进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在第一期间内，为了激励被供给到等离子体处理装置的处理容器内的包含碳氟化合物的处理气体，周期性地切换高频电力的接通和断开的步骤；和(b)在接着第一期间之后的第二期间，为了激发被供给到处理容器内的处理气体，将高频电力设定为连续接通的步骤，该第二期间内高频电力接通的期间比第一期间内高频电力接通的期间长。

公开(公告)号：CN1992164B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200610156578.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤学 ,  五十岚义树 ,  昆泰光 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室(10)内支承晶片用的下部电极16上从第一高频电源(88)施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源(90)施加相对低频率的第二高频电，在与下部电极(16)相对配置的上部电极(34)上，从可变直流电源(50)施加直流电压，向腔室(10)内提供不含CF类气体的处理气体，进行等离子体化，使用含有硅的掩膜，对被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜进行等离子体蚀刻。

公开(公告)号：CN1692472A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100597.7

申请日：2003-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  稻泽刚一郎 ,  樋口公博 ,  V·巴拉苏布拉马尼雅姆 ,  西村荣一 ,  R·金 ,  P·桑索内 ,  萩原正明

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/09

Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。