-
公开(公告)号：CN111952140A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010376530.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供基片载置台和等离子体处理装置。基片载置台在等离子体处理腔室中使用，其包括：具有销用贯通孔的主体，其中销用贯通孔具有带内螺纹的内壁；具有根端部分、中间部分和前端部分的升降销，升降销被插入销用贯通孔，中间部分带有外螺纹，带外螺纹的中间部分能够被拧入带内螺纹的内壁；以及使升降销相对于主体垂直地移动的移动机构。本发明能够抑制使用等离子体处理被处理体时发生的异常放电。
-
公开(公告)号：CN108447760B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810150376.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。
-
公开(公告)号：CN111801778B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201980016718.0
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 维护装置具有罩体和固定构件。罩体形成为和处理容器的第一部件与第二部件的分界线对应的尺寸、或者和第一部件与第二部件分离后的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性，其中，处理容器能够分离成第一部件和第二部件，且在处理衬底时被设置为真空气氛。固定构件将罩体沿着处理容器的第一部件与第二部件的分界线紧密固定，或者将罩体紧密固定于第一部件与第二部件分离后的开口面。
-
公开(公告)号：CN108807123B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201810384258.4
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置抑制相对于被处理体的等离子处理的均匀性的下降。等离子处理装置(10)具有第1载置台(2)、第2载置台(7)以及升降机构(120)。第1载置台(2)载置成为等离子处理的对象的晶圆(W)。第2载置台(7)设于第1载置台(2)的外周，并载置聚焦环(5)，且在内部设有制冷剂流路(7d)和加热器(9a)。升降机构(120)使第2载置台(7)升降。
-
公开(公告)号：CN111048394A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911324897.2
申请日：2018-01-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 上田雄大
Abstract: 本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c)，在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载置台(2)在在外周面设置有将加热器(6c)与供电端子(31)连接的配线(32)且该配线内包在绝缘物中。第二载置台(7)沿第一载置台(2)的外周面设置，用于载置聚焦环(5)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110808202A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911006282.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。
-
公开(公告)号：CN109210032A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810736213.9
申请日：2018-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: F15B15/14
Abstract: 本发明提供一种气缸。气缸(10)包括缸体(21)、活塞杆(24)、活塞(25)和控制部(11)。活塞杆(24)的一端配置在缸体(21)内，另一端从缸体(21)突出。活塞(25)设置在活塞杆(24)的一端，通过在缸体(21)内的移动而使活塞杆(24)移动。控制部11)对空间(S1)和空间(S2)这两者中的一者的空间内供给被压缩了的气体并从另一者的空间内吸引气体，其中，空间(S1)是比活塞(25)靠活塞杆(24)侧的缸体(21)内的空间，空间(S2)是隔着活塞(25)位于与空间(S1)相反一侧的缸体(21)内的空间。由此能够提高气缸的推力。
-
公开(公告)号：CN101207062B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710181964.0
申请日：2007-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种基板载置台的制造方法，能够防止在流体通道内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣所导致的污染，以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法，在作为气体喷出孔(511)的内侧面和槽(512)的内侧面等的气体供给通道的部分形成能够除去的膜(540)。接着，供给压缩空气等的气体，一边从各气体喷出孔(511)喷出压缩空气等的气体，一边在载置面上依次叠层陶瓷喷镀膜(10)、金属喷镀膜(电极)(12)、陶瓷喷镀膜(10)，从而形成3层的静电卡盘(11)。接着，向槽(512)内导入流体，例如导入丙酮等有机溶剂、压缩空气、水等，进行膜(540)的除去和清洗，除去在陶瓷喷镀工序中附着的块状喷镀陶瓷(530)。
-
公开(公告)号：CN100543960C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710168038.X
申请日：2007-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/00 , B08B7/00 , C23F4/00 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不会对被处理体产生重金属污染，而且经过长时间静电卡盘不会引起绝缘破坏的载置装置。本发明的载置装置，采用作为上述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成，由厚度为200μm～280μm的氧化钇喷镀层构成，表面形成依存于喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度的结构。这样的结构，对等离子体的耐久性在增高，并且不会引起重金属污染。
-
公开(公告)号：CN101179045A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710168038.X
申请日：2007-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/00 , B08B7/00 , C23F4/00 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不会对被处理体产生重金属污染，而且经过长时间静电卡盘不会引起绝缘破坏的载置装置。本发明的载置装置，采用作为上述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成，由厚度为200μm～280μm的氧化钇喷镀层构成，表面形成依存于喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度的结构。这样的结构，对等离子体的耐久性在增高，并且不会引起重金属污染。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.022 seconds)
