公开(公告)号：CN102800747A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210237891.3

申请日：2012-07-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  袁安东 ,  张月璐 ,  廖阳 ,  杨伟光 ,  李季戎 ,  钱隽 ,  王国华 ,  王晨 ,  韩洋 ,  沈心蔚 ,  陶媛

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C01G9/02 ,  C01G9/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。生长出来的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构可作为铜锌锡硫（CZTS）太阳能电池的窗口层。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，接着使用真空管式炉，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液。最后，通过水热法硫化生长ZnS壳层结构，生长溶液为0.05~0.50mol/L硫代乙酰胺（TAA）的水溶液，在水热反应釜中硫化1~9小时后取出，然后放入烘箱烘干，即可得到ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构。