公开(公告)号：CN101388342B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810201965.1

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏斌 ,  李博 ,  孙三春 ,  张建华 ,  汪敏

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明涉及一种全溶液加工法制备无机薄膜三极管TFT的方法。该方法采用全溶液加工法来制备三极管的绝缘层TiO2和有缘层ZnO，具体步骤如下：采用热液法或者溶胶凝胶法将TiO2和ZnO制备成浓度为0.05Ml—0.1Ml的溶液；将步骤a中得到的ZnO和TiO2通过旋涂法、提拉法或滴定覆盖法涂敷在衬底电极上，形成ZnO和TiO2薄膜，ZnO薄膜通过高温退火或者激光退火工艺形成微晶化。本发明可以在小于500℃的低温下制备TiO2薄膜和ZnO薄膜，工艺相对简单，有助于降低制备成本，加快制备速度，十分有利于进行产业化。并可在玻璃等廉价材料上制备，与弹性、塑性材料工艺兼容。可得到有高介电常数的绝缘层以及极高电荷迁移率的有源层的TFT器件，它具有毫安级大电流密度，以及高达数万的电流开关比，能够驱动低压OLED。

公开(公告)号：CN101582489A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910052046.7

申请日：2009-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏斌 ,  路林 ,  李博 ,  张浩 ,  张建华 ,  汪敏

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种新的有机电致发光器件的复合封装结构和方法。本复合封装结构包括基板及其上依次叠置的ITO薄膜、电致发光材料层和金属层上面起封装阻挡水汽和氧气作用的封装层。封装层的内侧有一层作为辅助封装的缓冲层，与封装层一起增强阻挡水汽和氧气的渗透，构成复合封装结构。本方法的制备步骤：(1)采用真空蒸镀LiF层制备缓冲层；(2)在LiF层上制备封装层。本复合封装结构能增强阻挡水汽和氧气，本法操作简单，费用较低。

公开(公告)号：CN108597584A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810181033.9

申请日：2018-03-06

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨帮华 ,  胡晨潇 ,  汪金龙 ,  李博 ,  王伟

IPC: G16H20/70 ,  G16H50/50

Abstract: 本发明涉及一种结合稳态视觉诱发电位及运动想象的三阶段脑控上肢康复方法。本方法包括：（1）VR视频引导第一阶段训练：通过虚拟现实VR视频引导，使患者熟悉上肢康复动作；（2）VR-SSVEP第二阶段训练：患者需集中注意力观察代表不同上肢动作且以特定频率闪烁的图片，实时采集患者脑电EEG信号,分析患者意图，通过VR动画给予视觉反馈，使其学会集中注意力；（3）VR-MI第三阶段训练：离线训练时采集患者左右上肢运动想象MI期间的EEG信号，建立运动想象意图识别模型。在线训练时依据该模型分析患者MI的EEG信号，识别其运动意图，实时控制界面中3D人物运动，从而利用MI促进大脑中枢神经重塑。该方法沉浸性好、采用主动康复且循序渐进，为脑卒中患者上肢康复提供新方法。

公开(公告)号：CN101393971B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200810201985.9

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏斌 ,  王军 ,  张建华 ,  李博 ,  汪敏

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种新的发光三极管及其制备方法。该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道，形成两个源和漏极，未改动的阴极作为栅极；该沟道的长度为5微米～30微米。本发明的三极管是一个具有FET特性的二极管，它克服现有的有机发光三极管中存在的光在边缘发射和在金属电极消光的缺点。此外与TFT驱动的发光电致二极管相比，本发明的三极管即具有电流变调的FET特性，同时也具有电光转换的OLED特性。

公开(公告)号：CN101393971A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810201985.9

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏斌 ,  王军 ,  张建华 ,  李博 ,  汪敏

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种新的发光三极管及其制备方法。该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道，形成两个源和漏极，未改动的阴极作为栅极；该沟道的长度为5微米～30微米。本发明的三极管是一个具有FET特性的二极管，它克服现有的有机发光三极管中存在的光在边缘发射和在金属电极消光的缺点。此外与TFT驱动的发光电致二极管相比，本发明的三极管既具有电流变调的FET特性，同时也具有电光转换的OLED特性。

公开(公告)号：CN202015829U

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201120001124.3

申请日：2011-01-05

Applicant: 上海大学

Inventor： 翟启杰 ,  龚永勇 ,  尹振兴 ,  李仁兴 ,  李博

IPC: B22D27/02

Abstract: 本实用新型涉及一种把脉冲电流导入金属熔体的装置，属于冶金及金属加工领域。该装置包括四部分，由导电排、电极及其支撑架、水冷系统、以及脉冲电源构成。导电排分别连接脉冲电源和电极，电极插入金属熔体中；导电排由两条平行的金属板紧压在一起且中间夹有绝缘材料而构成，导电排和电极上都装有水冷系统，通过调节水冷系统中水压或流量，来调节导电排和电极的温度。本实用新型解决了脉冲电流导入金属熔体的难题，结构紧凑，安装方便，线路上的功率损耗小，可长时间工作，可以根据实际的铸造条件来调节电极间距和电极插入深度等，还可以依据实际需求适当调整导电排的长度和走向。本实用新型既可以应用于模铸上，又可以在连铸上使用，例如应用于结晶器上或中间包中。