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公开(公告)号:CN111519164B
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202010348365.9
申请日:2020-04-28
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及种基于ALD技术制备氧化锌薄膜的装置及方法,所述装置包括:第一容量瓶、第二容量瓶、第三容量瓶、内腔、外腔、机械泵、加热装置和芯片基板;所述第一容量瓶、所述第二容量瓶和所述第三容量瓶分别通过管路伸入所述内腔,所述内腔置于所述外腔内部,所述加热装置置于所述外腔内部,所述芯片基板置于所述内腔内部,所述机械泵和所述内腔连通;所述第二容量瓶通过管路与所述外腔连接,且管路与所述内腔对应设置;本发明通过先升温后再断掉加热功能,在设备降温过程中不断的通入二乙基锌和水制备出氧化锌薄膜,实现氧化锌半导体薄膜载流子浓度的定向调控,完成了温度梯度下的氧化锌薄膜的制备。
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公开(公告)号:CN111519164A
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN202010348365.9
申请日:2020-04-28
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及种基于ALD技术制备氧化锌薄膜的装置及方法,所述装置包括:第一容量瓶、第二容量瓶、第三容量瓶、内腔、外腔、机械泵、加热装置和芯片基板;所述第一容量瓶、所述第二容量瓶和所述第三容量瓶分别通过管路伸入所述内腔,所述内腔置于所述外腔内部,所述加热装置置于所述外腔内部,所述芯片基板置于所述内腔内部,所述机械泵和所述内腔连通;所述第二容量瓶通过管路与所述外腔连接,且管路与所述内腔对应设置;本发明通过先升温后再断掉加热功能,在设备降温过程中不断的通入二乙基锌和水制备出氧化锌薄膜,实现氧化锌半导体薄膜载流子浓度的定向调控,完成了温度梯度下的氧化锌薄膜的制备。
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公开(公告)号:CN109713150A
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201811608548.9
申请日:2018-12-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种倒置有机电致发光器件及其制备方法。所述倒置有机电致发光器件,包括:半导体透明导电膜、铝层、有机层以及金属电极;所述半导体透明导电膜为基底层,所述铝层设于所述半导体透明导电膜以及所述有机层之间,所述金属电极覆于所述有机层的上表面,形成倒置有机电致发光器件。采用本发明所提供的倒置有机电致发光器件及其制备方法能够提高有机电致发光器件的电流效率。
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公开(公告)号:CN219239756U
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202320778330.8
申请日:2023-04-07
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本实用新型公开了一种原子层沉积设备,涉及原子层沉积技术领域,包括外壳体、内壳体、气源组件及加热组件;外壳体具有外腔;内壳体固定设置于外腔内,内壳体具有内腔,内腔内用于固定放置具有中空腔体的基底,且内腔具有内壁面能够包裹于基底外壁面的包裹段,内腔能够与中空腔体连通;气源组件与内壳体连接并与内腔连通,气源组件用于向内腔通入反应气,并能够使反应气通过中空腔体;加热组件固定设置于外腔内,加热组件用于对基底加热。本实用新型提供的原子层沉积设备,便于对中空的异形基底的内壁面进行原子层沉积,保障沉积效率和沉积质量。
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公开(公告)号:CN216838174U
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202220553199.0
申请日:2022-03-15
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本实用新型公开一种基于ALD技术的薄膜制备装置,涉及薄膜制备技术领域,包括:芯片基板、反应单元、供水/供臭氧单元、用于盛装不同反应物的若干个反应物容量瓶、内部环境为真空的混气罐,若干个反应物容量瓶分别通过电磁阀与混气罐的进气口相连通,混气罐的出气口通过电磁阀与反应腔室连通,混气罐内设置有用于搅动气流的风机组;本实用新型中在不同反应物进入反应腔室之前,先进入到混气罐内进行混合,并利用风机组的搅动作用提高不同反应物间的混合效果,混合后的混合物进入到反应腔室内并与后续通入的水或臭氧进行反应,在芯片基板上形成掺杂混合薄膜,且形成的掺杂混合薄膜是在同一(原子)层里实现掺杂,提高了薄膜的机械和光电性能。
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