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公开(公告)号：CN109116112A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710492072.6
申请日：2017-06-26
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 沈立
IPC: G01R27/02
CPC classification number: G01R27/02
Abstract: 本发明提出了通孔电阻测试结构及方法，以提高通孔电阻的测试精确度。该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，包含有多个通孔单元及连接通孔单元的互连线，相邻两个通孔单元由互连线相连，所述同一个子测试结构中的通孔单元包含的通孔数相同，所述互连线由分别位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构在通孔单元的通孔数彼此不相同，所述各子测试结构的互连线部分完全相同。
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公开(公告)号：CN109980006A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452893.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有双面界面掺杂浓度线性增加结构SOI高压器件。该结构在SOI器件介质层上下界面分别注入高浓度N+和高浓度P+,从源端到漏端，N+和P+浓度线性连续增大。器件外加高压时，纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽n+区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面，同时在下界面积累感应电子。引入的界面电荷对介质层电场(E，)产生附加增强场(△E，)，使介质层承受更高耐压，同时对顶层硅电场(ES)产生附加削弱场(△艮)，避免在硅层提前击穿，从而有效提高器件的击穿电N(BV)。详细研究DCI SOI工作机理及相关结构参数对击穿电压的影响，在5μm介质层、1μm顶层硅上仿真获得825V高耐压，较常规结构提高284.4％，其中，附加场△E，和AEs分别达到725.5V/tm和34V/um。
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公开(公告)号：CN109979893A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711455436.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/762
Abstract: 一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，本发明公开了该结构的原理示意图及其制造方法，以减弱SOI高压结构中埋层存在的自加热效应。其中该结构，包括通常的传统的SOI高压结构以及由新材料以不同于传统埋层结构的新型埋层。该材料在不影响或者少量影响器件其他原有属性的情况下，明显降低了自加热效应。该专利包括这种新型结构的材料、结构以及制备方法。
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公开(公告)号：CN109979874A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452955.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L21/762 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。
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公开(公告)号：CN109977439A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711454488.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线，以减小版图的面积，提高绘制测试结构版图的效率，改善结构的稳定性，其中所述的引入参数的晶体管模块单元，是由若干个晶体管组成测试结构。所述模块单元提供控制晶体管个数、栅长、栅宽、叉指数等四组参数，修改所述的四组参数，可以调整晶体管的数量和尺寸，模块内部将自动做出相应调整，仍然保持匹配连接关系。所述模块单元中，引出四条金属线，供模块单元与衬垫(PAD)连接。所述测试结构，可以随时调整它的衬垫间距，根据实际版图允许面积，优化与测试晶体管的匹配精确度。所述测试结构，采用完全的上下对称的版图结构，被测晶体管独立引出源(S)、漏(D)衬垫；而栅(G)、衬底(Sub)为所有晶体管共用。所述自动化方法，智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法，大规模地降低了新工艺下晶体管测试电路与测试结构的实现复杂度，缩短了完成时间，并提高了可靠度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109148435A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710500676.0
申请日：2017-06-27
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 沈立
IPC: H01L27/02 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L29/41725
Abstract: 本发明以MOS器件结构为出发点，提出了一种适用于电路设计者研究漏(源)端有源区影响器件性能的单元(PCELL)结构。该PCELL结构包括源漏有源区（Source/Drain）、栅极(PLOY)、通孔(Contact)。其中该源漏有源区到栅极的距离（LS/LD）是可变的，且可呈一定函数关系变化。其中通孔所在位置亦有三种形式，对器件性能产生不同影响。
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公开(公告)号：CN109979912A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711456523.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/522 , H01L21/50
Abstract: 本发明是关于一种优化的衬底掏空的层叠电感结构，具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括：多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间，其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成，这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构，这样就减小了寄生电容的影响，扩展了电感的工作频带，以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。
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公开(公告)号：CN109152124A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710498680.8
申请日：2017-06-27
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 沈立
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提供了一种适用于大功率电源装置，此装置同时驱动多路模组。前级功率因数校正模块，可提供系统功率因数；中间PWM模块，可实现输入输出之间的电气隔离，后级多路模组保证了每路均能够恒流，且各路输出之间互不干扰。
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公开(公告)号：CN108630753A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710185811.7
申请日：2017-03-26
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司
Inventor： 沈立
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0611 , H01L29/0873 , H01L29/0882 , H01L29/41725
Abstract: 本发明公开了一种带有梯状屏蔽槽耐压结构的SOI高压金属氧化物半导体场效应管器件，本发明公开了一种新型SOI高压器件的结构，器件在使用场板技术、表面P降场层的双RESURF技术来提高横向击穿电压的同时；其特征在于：此器件具有双漏电极，增加了耗尽区与漏区的面积，减弱了横向电常，提高了横向击穿电压；对于器件的纵向耐压，器件通过在Si和埋层Si02界面上形成了阶梯形的屏蔽槽的结构来解决。
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公开(公告)号：CN109980007A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711454894.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
Abstract: 本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压；源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区，漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。
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