离子注入复合镀膜设备
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1206386C

    公开(公告)日:2005-06-15

    申请号:CN03129551.7

    申请日:2003-06-26

    Abstract: 一种离子注入复合镀膜设备属于镀膜技术领域。本发明的气体离子源、金属离子源、直流磁控溅射靶源、中频脉冲磁控溅射靶源和两套直流磁过滤电弧离子镀源、六个源头共用一个真空室,并固定在复合镀膜机的外壳上,气体离子源垂直位于真空室上部的正中,金属离子源位于气体离子源的一侧,斜插于真空室上部,直流磁控溅射靶源和中频磁控溅射靶源、两个直流磁过滤电弧离子镀源则分布在二条对角线上,并位于真空室两侧偏上部位,六个源头的中心线汇聚在多用样品台工件上,真空抽气系统与真空室连接。本发明集几种材料表面改性技术于一体,一机多用,既降低了设备制造成本,又具有多功能效果,设备设计新颖,结构合理紧凑。

    自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置

    公开(公告)号:CN1570199A

    公开(公告)日:2005-01-26

    申请号:CN200410018294.7

    申请日:2004-05-13

    Abstract: 一种自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置,用于材料表面改性领域。本发明包括:注入元素蒸发系统,注入元素导入系统,离化和注入或者注入且沉积系统,真空系统,注入元素蒸发系统连接到注入元素导入系统,注入元素导入系统再连接到离化和注入或者注入且沉积系统,离化和注入或者注入且沉积系统位于真空系统内部。本发明使得注入的整个过程都比较稳定且可以最大幅度降低对真空系统的污染;利用自辉光产生等离子体,不再需要额外的等离子激发装置,节约成本,利用空心阳极,大面积阴极技术形成聚焦电场,电子向阳极的聚焦,提高了辉光放电的离化率,提高了注入或者注入且沉积的效率。

    用于紫外固化的透明隔热纳米多层膜

    公开(公告)号:CN1562603A

    公开(公告)日:2005-01-12

    申请号:CN200410017024.4

    申请日:2004-03-18

    Abstract: 一种用于紫外固化的透明隔热纳米多层膜,用于纳米光学薄膜材料技术领域。本发明采用DMD结构,电介质与金属层交替,两层电介质中间是金属层,金属为金属银,金属银层厚度为14~18nm,电介质材料为TiO2,层厚25~36nm。本发明既能保证优良的紫外透过率,同时把紫外固化炉的有害热量反射隔离,镀在透紫外石英玻璃上,置于紫外光源与待固化件之间用于紫外固化炉的隔热。可以作为水冷或风冷的补充,也可单独使用,以克服紫外固化过程中因温升而造成的固化质量问题,保证固化产品质量的稳定性。

    电刷镀钯镍合金及稀土钯镍合金镀层的工艺

    公开(公告)号:CN1117179C

    公开(公告)日:2003-08-06

    申请号:CN99116932.8

    申请日:1999-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种电刷镀钯镍合金及稀土钯镍合金工艺,其钯镍合金镀液配方由一定浓度的PdCl2溶液、NiCl2溶液、NaNO2溶液和NH4NO3溶液等组分组成;含稀土元素钯镍合金的镀液则在配方中滴入稀土元素Ce或La添加剂;在镀层中加入镍可显著提高镀层的硬度和耐磨性,改善换向器表面性能;含稀土元素的钯镍合金镀层,质量有明显提高,镀层生长均匀、晶粒细小致密。

    耐腐蚀耐磨梯度膜
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1322857A

    公开(公告)日:2001-11-21

    申请号:CN01112715.5

    申请日:2001-04-26

    CPC classification number: C23C28/021 C23C28/026 C23C28/028

    Abstract: 一种耐腐蚀耐磨梯度膜,采用化学镀和电镀等技术对选用材料组合施镀,再使最表层非晶化或纳米化,制得由铜及铜镍合金基底镀层,Ni-P合金中间强化兼抗蚀镀层,表面Zn-Ni合金及非晶Ni-P合金等抗蚀镀层,最表层非晶或纳米化层组合而成的梯度膜结构。本发明充分考虑了材料物性参数匹配和电极电位的逐渐过渡,优化基底材料和镀层的配合,获得的梯度膜硬度高,结合力强,膜层内应力低,耐磨抗蚀性好,有较大的实用价值。

    对纯钛进行复合表面改性的方法

    公开(公告)号:CN105568344A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201610029064.3

    申请日:2016-01-15

    CPC classification number: C25D11/26

    Abstract: 本发明提供了一种对纯钛进行复合表面改性的方法,其包括如下步骤:将纯钛进行第一次表面处理;对所述纯钛进行打孔,铺设纳米级碳化硅颗粒;进行搅拌摩擦纵向进给加工,形成搅拌层;将所述搅拌层进行第二次表面处理;进行微弧氧化处理。本发明的优点在于:通过纳米级碳化硅颗粒的加入,提高了材料的机械性能,在搅拌层上继续进行微弧氧化的处理方法以得到具有生物活性的多孔复合氧化层。

    光伏半导体薄膜渡液及其制备方法

    公开(公告)号:CN1560910A

    公开(公告)日:2005-01-05

    申请号:CN200410016771.6

    申请日:2004-03-04

    Abstract: 一种光伏半导体薄膜镀液及其制备方法,用于液相生长半导体薄膜技术领域。镀液为:CdCl20.07-5%,NH4NO30.1-4%,KOH 1-6%,CS(NH2)20.3-15%,聚乙二醇为0.1-1%,其余为去离子水。通过添加聚乙二醇的方式,制备了均匀致密的CdS薄膜。具体制备步骤进一步描述如下:基片依次经过丙酮、去离子水超声波清洗,烘干备用;溶液配置过程为在烧杯中依次加入CdCl2、KOH、NH4NO3溶液和聚乙二醇溶液搅拌均匀,利用KOH调节镀液到合适的pH值,放置20min;待溶液稳定后,水浴加热到60-90℃,加入事先配好的硫脲溶液,混合均匀后,竖直放入基片,镀膜过程开始;沉积结束后,通过超声波清洗的方式去除薄膜表面附着的CdS颗粒。在制备过程中无需强制搅拌,所制备CdS薄膜晶粒大小均匀、附着性好、光透过率高。

    多层纳米透明导电膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN1442872A

    公开(公告)日:2003-09-17

    申请号:CN03116461.7

    申请日:2003-04-17

    Abstract: 一种多层纳米透明导电膜及其制备方法属于纳米薄膜材料领域。本发明薄膜是电介质与金属层交替结构,两层电介质中间是金属层,其中电介质层是对称结构,或者非对称结构。本发明方法首先根据多层膜的特征矩阵计算公式、金属连续膜内的电子输运和等离子体共振理论,编制多层膜光电性能的计算机模拟程序,优化设计D/M/D多层膜结构,这包括材质、膜厚、折射率、电导率的选择和匹配等,预测若干种D/M/D多层膜结构;然后用真空蒸镀的方法制备D/M/D多层膜,同时在蒸镀时,用精确的膜厚监测系统来动态记录膜厚,随时取样测量并加以校正。本发明多层膜的光电性能较好,电气性能指标相对ITO/Ag/ITO有了很大的提高,同时,该膜系具有更好选择滤光性能和色彩平衡性。

    用于微特电机换向器的电刷镀钯工艺

    公开(公告)号:CN1113981C

    公开(公告)日:2003-07-09

    申请号:CN99116933.6

    申请日:1999-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种应用电刷镀在微特电机换向器上进行镀钯的工艺。根据该工艺,先对换向器进行预处理,然后连接换向器至电刷镀装置进行刷镀,其镀液由一定浓度的PdCl2、NaNO2和NH4NO3溶液组成。该装置连接电源的电极1和电极2为月牙形仿形外置电极,其内圆直径与转子4的外圆直径相等。本发明设备简单,镀膜质量好,无环境污染,镀覆后对器件的电绝缘性能不会产生不利影响。

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