快速制备SiC纳米线的方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101327929A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810041205.9

    申请日:2008-07-31

    Abstract: 一种纳米技术领域的快速制备SiC纳米线的方法。本发明步骤为:a.按照质量百分比将SiO粉为33.3%-66.7%、焦炭为33.3%-66.7%进行混合;b.将混合物放入球磨机,球磨,制备反应原料;c.将反应原料放入石墨管制作的坩埚中,置于密闭石英管内,使用真空泵抽真空;d.在石英管内通入氩气或者氮气,调节进气流量,控制管内气压在0.02-0.04MPa;e.采用石英管外缠绕的高频感应电源线圈对石墨坩埚进行加热,在3min内升至1600℃,保温;f.氩气或者氮气保护下随炉冷却至室温,即得到SiC纳米线。本发明解决了现有SiC纳米线制备中工艺复杂、成本高、周期长、条件难控制等问题。

    用于制备磁性金属及合金一维纳米材料的装置

    公开(公告)号:CN201670724U

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN201020294419.X

    申请日:2010-08-17

    Abstract: 一种纳米材料技术领域的用于制备磁性金属及合金一维纳米材料的装置,包括:反应室、补偿循环机构、恒温控温机构和磁场产生器,其中:反应室与补偿循环机构连接,反应室与恒温控温机构通过导线连接,反应室与磁场产生器固定连接,反应室位于磁场产生器的正上方,反应室、补偿循环机构底部和恒温控温机构底部位于同一水平面。本实用新型不但能大量制备高质量一维磁性金属纳米材料,而且对溶剂进行回收利用,成本低廉,工艺简单,克服了目前一维磁性纳米材料制备技术和装置中存在的问题。

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