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公开(公告)号：CN1271757C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200310108303.7
申请日：2003-10-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种密集波分复用系统的多波长超连续光源，属于光通信领域。本发明两个光纤耦合器形成环型腔，半导体激光器输出的连续光经50∶50的光纤耦合器连接输入到位相调制器，位相调制器与射频微波源连接，位相调制器后连接色散光纤，色散光纤后连接大功率的掺铒放大器，其后连接色散位移光纤，色散位移光纤后连接90∶10的光纤耦合器，其90%输出口与50∶50的光纤耦合器的另一输入口连接，光纤耦合器的10%端口接连另一个掺铒光纤放大器，掺铒光纤放大器另一端输入解复用器。本发明能不断的通过调制产生新的边带频率，产生的各光波长更为稳定，使用光纤长度更短，注入光功率更低。各波长之间的频率间隔由光脉冲序列的重复频率或调制频率决定。
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公开(公告)号：CN1276608A
公开(公告)日：2000-12-13
申请号：CN00116543.7
申请日：2000-06-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种上钉扎型钴铜磁自旋阀,采用磁控溅射并结合特殊的磁性层钉扎工艺,制备的磁自旋阀结构为Co/Cu/Co-CoO,制备时保持底层Co层厚度2.0nm固定不变,中间层Cu厚度在0.6～2.0nm之间,上钉扎层Co-CoO的前半段Co层厚度为1.0nm,后半段CoO采用5∶2的Ar气和O2气混合后反应制备,再经高纯氧气、150～180度的高温氧化两小时获得。本发明具有低饱和场、宽台阶的特性,比较适用于某些类型的传感器。
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公开(公告)号：CN100535730C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710047680.2
申请日：2007-11-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种光通讯技术领域的L波段双通后向泵浦掺铒光纤放大器，包括：可调谐激光器、光环行器、980/L波段波长选择耦合器、掺铒光纤、泵浦激光器、光纤环反射镜、光谱分析仪，连接关系为：光环形器有三个端口，光环行器的一个端口与可调谐激光器相连，光环行器的另一个端口与掺铒光纤一端相连，光环行器的第三个端口与光谱分析仪相连，掺铒光纤的另一端与980/L波段波长选择耦合器的公共端口相连，980/L波段波长选择耦合器的980nm端口与泵浦激光器相连，980/L波段波长选择耦合器的1550端口与光纤环反射镜相连。本发明实现了利用较低的泵浦功率得到高的小信号增益和低的噪声指数。
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公开(公告)号：CN100406611C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510028677.7
申请日：2005-08-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种生物材料技术领域的制备纳米结构生物活性钛金属薄膜的方法，步骤如下：将医用植入物基材清洗、烘干备用；固定钛靶及基材；烘烤真空室，通入氩气，调节氩气流量在10sccm-30sccm，功率在40W-100W，气压在0.3Pa-4Pa之间后，对溅射系统中的钛靶进行直流辉光溅射清洗；待完成溅射清洗钛靶后，氩气流量仍保持在原范围，调节总气压在0.3Pa-3.6Pa之间，调节功率在40W-80W之间，直流磁控溅射钛靶；溅射后从真空室取出试样。本发明简单经济，制得的纳米结构Ti生物活性膜与植入物表面结合牢固，对原医用植入物的机械性能无任何破坏，提高了原普通医用植入物的生物相容性，有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN100999816A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610147219.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种低温下制备锐钛矿晶相二氧化钛薄膜的方法，属于宽禁带半导体光催化科技领域。本发明通过反应磁控溅射在基材上沉积二氧化钛膜，在沉积过程中基材所在基底不加热且通过水冷系统冷却，氩气流量保持在30sccm，调节氩气与氧气的流量比在10∶1至5∶1之间，调节总气压在1Pa－4Pa之间，调节功率密度在1.4W/cm2－2.8W/cm2之间，在基底上加上负偏压在20V－100V之间，然后开始直流反应磁控溅射成膜，在沉积薄膜的过程中，腔体内等离子体中大量氩正离子在基底偏压的驱动下对沉积过程中的二氧化钛薄膜进行有效轰击，基底温度始终低于80℃，最终实现在不耐热的基材上制备具有光致活性的锐钛矿晶相二氧化钛薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1739811A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510028678.1
申请日：2005-08-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种生物材料技术领域的TiO2生物医用活性薄膜的制备方法，步骤如下：将基材清洗后烘干后备用；固定钛靶，调节靶面至基板的距离，靶表面上溅射区域的磁场强度为2800高斯；烘烤磁控溅射系统真空室，通入氩气，对钛靶进行直流辉光溅射清洗；在基板附近通入氧气，调节氩气与氧气的流量比在10∶1至5∶1，调节总气压在0.3Pa－4Pa，调节溅射功率在40W－80W，即开始直流反应磁控溅射成膜；溅射后从真空室取出试样，即在基材表面沉积了一层纳米结构TiO2生物活性薄膜。本发明简单经济，制得的纳米结构TiO2生物活性膜与植入物表面结合牢固，对原医用植入物的机械性能无任何破坏，提高了原普通医用植入物的生物相容性，有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN1118074C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN00116543.7
申请日：2000-06-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01F10/32
Abstract: 一种上钉扎型钴铜磁自旋阀，采用磁控溅射并结合特殊的磁性层钉扎工艺，制备的磁自旋阀结构为Co/Cu/Co-CoO，制备时保持底层Co层厚度2.0nm固定不变，中间层Cu厚度在0.6～2.0nm之间，上钉扎层Co-CoO的前半段Co层厚度为1.0nm，后半段CoO采用5∶2的Ar气和O2气混合后反应制备，再经高纯氧气、150～180度的高温氧化两小时获得。本发明具有低饱和场、宽台阶的特性，比较适用于某些类型的传感器。
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公开(公告)号：CN1116687C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN00116545.3
申请日：2000-06-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01F10/32
Abstract: 一种上钉扎型铜锰合金磁自旋阀，采用非磁层搀杂并结合磁性层钉扎工艺，制备的磁自旋阀的结构为Co/CuMn/Co-CoO，即在Co/Cu/Co结构中，以CuMn合金层替代非磁中介层Cu以降低饱和场，再辅以上钉扎Co-CoO层替代Co层，以进一步改善性能。上钉扎层的前半段Co层采用射频溅射获得，后半段CoO采用5∶2的Ar气和O2气混合后反应制备。本发明具有较好的低场特性和较高的灵敏度，适用于磁存储材料和传感器。
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公开(公告)号：CN1116686C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN00116544.5
申请日：2000-06-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01F10/32
Abstract: 一种铜锰合金型磁自旋阀，利用磁控溅射制备，采用最佳非磁层掺杂配方，用于两种特殊结构的磁自旋阀，分别为Co/CuMn/Co和CuMn/Co/CuMn/Co/CuMn，即在Co/Cu/Co结构中，以CuMn合金层替代非磁中介层Cu形成Co/CuMn/Co，再加以缓冲层和覆盖层形成CuMn/Co/CuMn/Co/CuMn，CuMn合金中Mn原子的含量为3%～11%。这两种特殊结构的磁自旋阀，低场特性差别较大，但是都非常独特。本发明具有低饱和场、高灵敏度的特性，可适用于不同的实际应用需要。
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公开(公告)号：CN1275779A
公开(公告)日：2000-12-06
申请号：CN00116544.5
申请日：2000-06-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种铜锰合金型磁自旋阀,利用磁控溅射制备,采用最佳非磁层掺杂配方,用于两种特殊结构的磁自旋阀,分别为Co/CuMn/Co和CuMn/Co/CuMn/Co/CuMn,即在Co/Cu/Co结构中,以CuMn合金层替代非磁中介层Cu形成Co/CuMn/Co,再加以缓冲层和覆盖层形成CuMn/Co/CuMn/Co/CuMn,CuMn合金中Mn原子的含量为3%～11%。这两种特殊结构的磁自旋阀,低场特性差别较大,但是都非常独特。本发明具有低饱和场、高灵敏度的特性,可适用于不同的实际应用需要。
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