公开(公告)号：CN102027579A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980116681.5

申请日：2009-04-24

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 矢口和义 ,  外赤隆二

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/30608

Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的加温时的蚀刻速度的降低，使得蚀刻液的寿命延长。一种硅蚀刻液、且使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，其特征在于，所述硅蚀刻液为含有碱金属氢氧化物、羟基胺和无机碳酸化合物的pH值12以上的碱性水溶液，且各向异性地溶解单晶硅。

公开(公告)号：CN100473454C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580016401.5

申请日：2005-05-18

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 外赤隆二 ,  木村善哉

IPC: B01J19/12 ,  B01D53/86 ,  B01J35/02 ,  B01J35/12 ,  C01B13/14 ,  C01B33/12 ,  C01F7/02 ,  C01G1/02 ,  C23C16/48 ,  H01L21/316

CPC classification number: B01J19/123 ,  A61L2/10 ,  A61L2/186 ,  A61L2/24 ,  A62D3/176 ,  A62D3/38 ,  A62D2101/20 ,  A62D2101/22 ,  A62D2101/28 ,  A62D2203/04 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00936 ,  B01J2219/0801 ,  B01J2219/0879 ,  B01J2219/089 ,  B01J2219/0892 ,  C01B13/322 ,  C01F7/428 ,  H05K3/385

Abstract: 本发明提供了一种在含有一氧化二氮(N2O)的液体中进行物质氧化的方法和所使用的氧化设备。在该方法中，物质的氧化是使物质存在于含一氧化二氮(N2O)的溶液中，并用波长为240纳米或更低的光进行照射。

公开(公告)号：CN1956778A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016401.5

申请日：2005-05-18

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 外赤隆二 ,  木村善哉

IPC: B01J19/12 ,  B01D53/86 ,  B01J35/02 ,  B01J35/12 ,  C01B13/14 ,  C01B33/12 ,  C01F7/02 ,  C01G1/02 ,  C23C16/48 ,  H01L21/316

CPC classification number: B01J19/123 ,  A61L2/10 ,  A61L2/186 ,  A61L2/24 ,  A62D3/176 ,  A62D3/38 ,  A62D2101/20 ,  A62D2101/22 ,  A62D2101/28 ,  A62D2203/04 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00936 ,  B01J2219/0801 ,  B01J2219/0879 ,  B01J2219/089 ,  B01J2219/0892 ,  C01B13/322 ,  C01F7/428 ,  H05K3/385

Abstract: 本发明提供了一种在含有一氧化二氮(N2O)的液体中进行物质氧化的方法和所使用的氧化设备。在该方法中，物质的氧化是使物质存在于含一氧化二氮(N2O)的溶液中，并用波长为240纳米或更低的光进行照射。