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11.

发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法无效

公开(公告)号：CN101097901A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710109532.9

申请日：2007-06-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山冈义和 , 岛田聪

IPC: H01L23/522 , H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板(1、5)；栅电极(9A、9B)，其被埋入于半导体基板(1、5)；导电体(15A、15B)，其被埋入于栅电极(9A、9B)的更内侧；布线层(3)，其按照与导电体(15A、15B)连接的方式形成在半导体基板(1、5)的内部；和绝缘膜(14)，其被配置于栅电极(9A、9B)和导电体(15A、15B)之间。将导电体(15A、15B)形成得比半导体基板(1、5)的表面高。从而，能够抑制电流的局部集中所引起的对半导体基板的部分放电。

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