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公开(公告)号：CN101295639B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810091254.3
申请日：2008-04-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/44
CPC classification number: H01L31/1804 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/45557 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/022466 , H01L31/06 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供能够抑制催化线的温度的控制变得困难的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。该半导体膜的制造方法包括：将催化线加热至规定的温度以上的工序；和在催化线被加热至规定的温度以上之后，导入半导体的材料气体，并且利用加热的催化线分解材料气体，形成半导体膜的工序。
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公开(公告)号：CN100527447C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610057698.6
申请日：2006-02-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及一种光电动势元件。在n型单晶硅基板主面的除去外周部的规定宽度之外的区域内形成有i型非晶硅膜和n型非晶硅膜。n型单晶硅基板的主面上形成有覆盖i型非晶硅膜和n型非晶硅膜的表面电极。在n型单晶硅基板的背面的整个区域内形成有i型非晶硅膜和p型非晶硅膜。在p型非晶硅膜上的除去外周部的规定宽度的区域内形成背面电极。表面电极侧成为主要的光入射面。
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公开(公告)号：CN1532952A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410029431.7
申请日：2004-03-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03762 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/076 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供一种光生伏打装置，设置有晶体系半导体，在所述晶体系半导体的表面上形成、实质上真性的第一非晶质半导体层，以及在所述第一非晶质半导体层的表面上形成的第一导电型的第二非晶质半导体层，在所述第一非晶质半导体层中有氢浓度的峰，由于由此能够增加第一非晶质半导体层中氢原子的量，所以通过该增加的氢原子与作为第一非晶质半导体层中的缺陷的硅原子的悬空键的结合，能够使该悬空键惰性化，由此提供输出特性提高的光生伏打装置。
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公开(公告)号：CN1445865A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN02157586.X
申请日：2002-11-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于提高结晶半导体与非晶态半导体薄膜的界面特性，改善结特性。一种光发电装置的制造方法，插入i型非晶态硅薄膜12来层叠n型单结晶硅基板11和p型非晶态硅薄膜13，并在单结晶硅基板11的背面侧插入i型非晶态硅层14来设置n型非晶态硅层15，使用氢气和含硼气体的混合气体，使单结晶硅基板11的表面等离子体放电，对单结晶硅基板11的表面实施等离子体处理后，形成i型非晶态硅层12，并在单结晶硅基板11与i型非晶态硅层12的界面上夹杂硼原子。
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公开(公告)号：CN101271930B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200810086840.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 寺川朗
IPC: H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电动势装置，该光电动势装置能够更加提高输出特性。该光电动势装置具有：第一导电型的结晶硅；第二导电型的第一非晶硅层；和配置在结晶硅与第一非晶硅层之间的实质真性的第二非晶硅层，结晶硅在与第二非晶硅层的界面上形成有具有2nm以下的高度的非周期的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN102725856A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007195.7
申请日：2011-01-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/1888 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种具备电导率高、光的吸収率低、且能够得到高的光散射效果的透明电极的光电转换装置。作为透明电极层（22），形成第一透明电极层（22a）和第二透明电极层（22b），并且设有纹理结构，其中，上述第一透明电极层（22a）形成于基板（20）侧，上述第二透明电极层（22b）位于比第一透明电极层（22a）远离基板（20）的位置，并且比第一透明电极层（22a）密度小。
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公开(公告)号：CN100533776C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN03120662.X
申请日：2003-03-04
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种可以提高晶体硅类半导体和非晶体硅类半导体的界面特性，改善结合特性的光电转换装置。这种光电转换装置可以按照夹持着i型非晶体硅制薄层(12)的方式，叠层设置有n型单晶体硅制基板(11)和p型非晶体硅制薄层(13)，在单晶体硅制基板(11)的内面侧处还通过i型非晶体硅制薄层(14)，设置有n型非晶体硅制薄层(15)，而且在单晶体硅制基板(11)与i型非晶体硅制薄层(12)、(14)间的界面处，存在有其浓度比i型非晶体硅制薄层(12)、(14)中的氧原子浓度高的氧原子。
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公开(公告)号：CN100481525C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510105632.5
申请日：2005-09-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 寺川朗
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层。利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。
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公开(公告)号：CN100431177C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200410080181.X
申请日：2004-09-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022441 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光生伏打元件，在n型单晶硅基板的主面上，依次形成i型非晶硅膜和由非晶氮化硅等构成的防止反射膜。在n型单晶硅基板的背面，相邻地设置正极和负极。正极包含依次形成于n型单晶硅基板背面上的i型非晶硅膜、p型非晶硅膜、背面电极和集电极。负极包含依次形成于n型单晶硅基板背面上的i型非晶硅膜、n型非晶硅膜、背面电极和集电极。
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公开(公告)号：CN1601759A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410080181.X
申请日：2004-09-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022441 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光生伏打元件，在n型单晶硅基板的主面上，依次形成i型非晶硅膜和由非晶氮化硅等构成的防止反射膜。在n型单晶硅基板的背面，相邻地设置正极和负极。正极包含依次形成于n型单晶硅基板背面上的i型非晶硅膜、p型非晶硅膜、背面电极和集电极。负极包含依次形成于n型单晶硅基板背面上的i型非晶硅膜、n型非晶硅膜、背面电极和集电极。
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