公开(公告)号：CN100449792C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN02157586.X

申请日：2002-11-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅海利夫 ,  寺川朗 ,  田口幹朗

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的在于提高结晶半导体与非晶态半导体薄膜的界面特性，改善结特性。一种光发电装置的制造方法，插入i型非晶态硅薄膜12来层叠n型单结晶硅基板11和p型非晶态硅薄膜13，并在单结晶硅基板11的背面侧插入i型非晶态硅层14来设置n型非晶态硅层15，使用氢气和含硼气体的混合气体，使单结晶硅基板11的表面等离子体放电，对单结晶硅基板11的表面实施等离子体处理后，形成i型非晶态硅层12，并在单结晶硅基板11与i型非晶态硅层12的界面上夹杂硼原子。

公开(公告)号：CN1445865A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN02157586.X

申请日：2002-11-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅海利夫 ,  寺川朗 ,  田口幹朗

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的在于提高结晶半导体与非晶态半导体薄膜的界面特性，改善结特性。一种光发电装置的制造方法，插入i型非晶态硅薄膜12来层叠n型单结晶硅基板11和p型非晶态硅薄膜13，并在单结晶硅基板11的背面侧插入i型非晶态硅层14来设置n型非晶态硅层15，使用氢气和含硼气体的混合气体，使单结晶硅基板11的表面等离子体放电，对单结晶硅基板11的表面实施等离子体处理后，形成i型非晶态硅层12，并在单结晶硅基板11与i型非晶态硅层12的界面上夹杂硼原子。