公开(公告)号：CN114647146A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]

公开(公告)号：CN111856879A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010357520.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  文京守 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用其形成图案的方法，所述半导体光致抗蚀剂组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂。化学式1及化学式2的细节如在详细说明中所定义。

公开(公告)号：CN108291052B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201680069339.4

申请日：2016-10-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  郑主泳 ,  金民兼

IPC: C08K5/50 ,  C08K3/013 ,  C08L63/00 ,  H01L23/28

Abstract: 本发明涉及一种用于密封半导体器件的环氧树脂组合物，该组合物含有环氧树脂、固化剂、无机填料和由化学式1表示的阻燃剂，并且涉及一种通过该环氧树脂组合物密封的半导体器件。在化学式1中，R是氢或C1‑C20烃基团。

公开(公告)号：CN112666794B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]#imgabs0#[化学式2]#imgabs1#[化学式3]#imgabs2#

公开(公告)号：CN119024654A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410424324.1

申请日：2024-04-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 扈锺必 ,  文炯朗 ,  韩承 ,  金兑镐 ,  朴景铃 ,  朴时均 ,  郭泽秀 ,  朴庆熏 ,  宋明洙 ,  裵鎭希 ,  金旼秀

IPC: G03F7/32

Abstract: 提供一种形成图案的方法，所述方法包括在衬底上涂覆含金属抗蚀剂组合物；进行干燥并加热以在衬底上形成含金属抗蚀剂膜；使用经图案化掩模对含金属抗蚀剂膜进行曝光；以及涂覆显影剂组合物以移除未曝光区，进而形成抗蚀剂图案。与显影前抗蚀剂膜的厚度相比，显影后抗蚀剂膜的厚度增加了约5％到约100％，且基于原子总数计，显影后的抗蚀剂膜的表面可包含约5at％到约20at％的选自磷元素及硫元素中的至少一者。

公开(公告)号：CN111856879B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010357520.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  文京守 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用其形成图案的方法，所述半导体光致抗蚀剂组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂。化学式1及化学式2的细节如在详细说明中所定义。#imgabs0#

公开(公告)号：CN113655689B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202110510318.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  金宰贤 ,  文京守 ,  禹昌秀 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  田桓承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包含(A)有机金属化合物、(B)具有在25℃下小于或等于约1.0mmHg的蒸气压和约3到约5的pKa的有机酸以及(C)溶剂。

公开(公告)号：CN112666794A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]，[化学式2]，[化学式3]。

公开(公告)号：CN106349461B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201610553237.1

申请日：2016-07-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 劝冀爀 ,  金民兼 ,  郑主泳 ,  千晋敏 ,  崔振佑 ,  韩承 ,  李东桓

IPC: C08G59/68 ,  C08G59/62 ,  C08L63/00 ,  C08L91/06 ,  C08K13/04 ,  C08K7/18 ,  C08K5/548 ,  C08K3/04 ,  C08K5/5419 ,  C07F9/50 ,  C07F7/07 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及一种由说明书中所描述的式1表示的鏻化合物、包括其的环氧树脂组成物以及使用其封装的半导体装置。所述鏻化合物用作潜在固化催化剂可以添加到包含环氧树脂、固化剂和无机填充剂中的至少一个的组成物中。由于鏻化合物可仅在所要固化温度下催化固化，而在偏离所要固化温度范围的温度下无任何固化活性，故可将环氧树脂组成物储存较长时间且无粘度改变。

公开(公告)号：CN106280249B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201610440332.0

申请日：2016-06-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 千晋敏 ,  劝冀爀 ,  金民兼 ,  郑主泳 ,  崔振佑 ,  韩承

IPC: C08L63/00 ,  C08K7/18 ,  C08K5/13 ,  C08K5/136 ,  C08K5/1535 ,  C08G59/68 ,  H01L23/29

Abstract: 公开了用于封装半导体装置的环氧树脂组合物以及使用其封装的半导体装置。所述环氧树脂组合物包含环氧树脂、固化剂、无机填料、固化催化剂、以及包含至少一个羟基基团的化合物，其中所述固化催化剂可以包含由式4表示的鏻化合物。。