公开(公告)号：CN112666794B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]#imgabs0#[化学式2]#imgabs1#[化学式3]#imgabs2#

公开(公告)号：CN111856879B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010357520.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  文京守 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用其形成图案的方法，所述半导体光致抗蚀剂组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂。化学式1及化学式2的细节如在详细说明中所定义。#imgabs0#

公开(公告)号：CN113655689B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202110510318.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  金宰贤 ,  文京守 ,  禹昌秀 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  田桓承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包含(A)有机金属化合物、(B)具有在25℃下小于或等于约1.0mmHg的蒸气压和约3到约5的pKa的有机酸以及(C)溶剂。

公开(公告)号：CN115598942A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210794402.8

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星SDI株式会社(KR) ,  三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李旻映 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀 ,  崔正敏 ,  高武铉 ,  金贞儿 ,  都星安 ,  裵相元 ,  韩勋 ,  洪锡九

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。

公开(公告)号：CN112666794A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]，[化学式2]，[化学式3]。

公开(公告)号：CN117616109A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280047982.2

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李旻映 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀

IPC: C11D7/26 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

Abstract: 提供一种用于从含金属抗蚀剂中去除边珠的组合物以及一种形成图案的方法，所述方法包括使用所述组合物来去除边珠的步骤，且所述组合物包括有机溶剂及经至少一个羟基(‑OH)取代的环状化合物，其中所述环状化合物具有5至30的碳数，且所述环状化合物在环中具有至少一个双键。

公开(公告)号：CN117597628A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047231.0

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 许伦旼 ,  文炯朗 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀

IPC: G03F7/16

Abstract: 提供一种形成图案的方法，所述方法包括：在基板上涂布含金属抗蚀剂组成物；沿基板的边缘涂布用于去除边珠的组成物；对所得物进行干燥及加热，以在基板上形成含金属抗蚀剂膜；以及对所得物进行曝光及显影以形成抗蚀剂图案，其中所述用于去除边珠的组成物可包括至少一种添加剂以及有机溶剂，所述至少一种添加剂选自亚磷酸系化合物、次亚磷酸系化合物、亚硫酸系化合物及氧肟酸系化合物。

公开(公告)号：CN113495429A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110349838.1

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  金兑镐 ,  南宫烂 ,  文京守 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物、光酸产生剂(PAG)以及溶剂的半导体光刻胶组合物和使用其形成图案的方法。化学式1的细节如详细描述中所定义。[化学式1]。